意大利OPTOI反射式傳感器-OIER2

時(shí)間：2022-08-31作者：天津瑞利光電科技有限公司瀏覽：82

天津瑞利光電科技有限公司優(yōu)勢(shì)經(jīng)銷意大利OPTOI反射式傳感器OIER2

產(chǎn)品型號(hào)：OIER2

產(chǎn)品介紹

 

OIER2 反射式傳感器由一個(gè)紅色發(fā)光二極管和一個(gè)雙 NPN 硅光電晶體管組成。這些組件并排安裝在塑料黑色 SMD 外殼中。黑色封裝可避免光反射、噪音，并充當(dāng) LED 和光接收器之間的屏障。僅當(dāng)反射物體表面位于檢測(cè)器的視場(chǎng)內(nèi)時(shí)，光電晶體管才會(huì)響應(yīng)從二極管發(fā)出的輻射。

 

性能特點(diǎn)

 

l 不聚焦用于感測(cè)漫射表面

l SMT 封裝

l 高均勻度

l 非常穩(wěn)定的測(cè)量

l 高增益光電晶體管

l 無接觸表面感應(yīng)

l 體積小

l 低成本

l 背面銑削，用于側(cè)面 PCB 安裝

 

技術(shù)參數(shù)

 

工作溫度范圍：-25…85 °C

儲(chǔ)存溫度：-40…85 °C

引線溫度（焊料）：270 °C

**器

連續(xù)正向電流：20 mA

反向電壓：5 V

正向電壓： 典型2.2 V，max.2.5 V

峰值波長(zhǎng)：625…645 nm

50%時(shí)的光譜帶寬：18 nm

接收器

集電極-**較電壓：30 V

功耗：100 mW

集電極直流電流：30 mA

集電極暗電流：典型10 nA ，max.100 nA

集電極-**較擊穿電壓：50 V

上升時(shí)間：10us

下降時(shí)間：11us

光電晶體管的增益：典型750，min.500，max.1000

耦合

集電極電流（反射面@D=1mm）：min.0.5 ,典型1 mA

集電極-**較飽和電壓：0.3 V

到反射面的距離：1.1 毫米天津瑞利光電科技有限公司優(yōu)勢(shì)經(jīng)銷意大利OPTOI反射式傳感器OIER2

產(chǎn)品型號(hào)：OIER2

產(chǎn)品介紹

 

OIER2 反射式傳感器由一個(gè)紅色發(fā)光二極管和一個(gè)雙 NPN 硅光電晶體管組成。這些組件并排安裝在塑料黑色 SMD 外殼中。黑色封裝可避免光反射、噪音，并充當(dāng) LED 和光接收器之間的屏障。僅當(dāng)反射物體表面位于檢測(cè)器的視場(chǎng)內(nèi)時(shí)，光電晶體管才會(huì)響應(yīng)從二極管發(fā)出的輻射。

 

性能特點(diǎn)

 

l 不聚焦用于感測(cè)漫射表面

l SMT 封裝

l 高均勻度

l 非常穩(wěn)定的測(cè)量

l 高增益光電晶體管

l 無接觸表面感應(yīng)

l 體積小

l 低成本

l 背面銑削，用于側(cè)面 PCB 安裝

 

技術(shù)參數(shù)

 

工作溫度范圍：-25…85 °C

儲(chǔ)存溫度：-40…85 °C

引線溫度（焊料）：270 °C

**器

連續(xù)正向電流：20 mA

反向電壓：5 V

正向電壓： 典型2.2 V，max.2.5 V

峰值波長(zhǎng)：625…645 nm

50%時(shí)的光譜帶寬：18 nm

接收器

集電極-**較電壓：30 V

功耗：100 mW

集電極直流電流：30 mA

集電極暗電流：典型10 nA ，max.100 nA

集電極-**較擊穿電壓：50 V

上升時(shí)間：10us

下降時(shí)間：11us

光電晶體管的增益：典型750，min.500，max.1000

耦合

集電極電流（反射面@D=1mm）：min.0.5 ,典型1 mA

集電極-**較飽和電壓：0.3 V

到反射面的距離：1.1 毫米


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