7812晶體管 廠家供應(yīng)

    7812晶體管 廠家供應(yīng)

    直流參數(shù)

    1:共射直流放大系數(shù)


    2:共基直流放大系數(shù)


    當(dāng) 可忽略時(shí), 。


    3:間的反向電流


    是**開路時(shí),集電結(jié)的反向飽和電流。


    是基開路時(shí),集電與**間的穿透電流, 。


    同一型號(hào)的管子,反向電流愈小,性能愈穩(wěn)定。


    選用管子時(shí), 與 應(yīng)盡量小。硅管比鍺管的間反向電流小2 3個(gè)數(shù)量級(jí),因此溫度穩(wěn)定性也比鍺管好。


    交流參數(shù)——是描述晶體管對(duì)于動(dòng)態(tài)信號(hào)的性能指標(biāo)
    1:共射交流電流放大系數(shù)


    ( 常量)


    選用管子時(shí), 應(yīng)適中,太小則放大能力不強(qiáng),太大則溫度穩(wěn)定性差。


    2:共基交流電流放大系數(shù)


    ( 常量)


    在近似分析中可以認(rèn)為 , 。


    3:特征頻率


    由于晶體管中PN結(jié)的結(jié)電容存在, 是所加信號(hào)頻率的函數(shù)。信號(hào)頻率高到一定程度時(shí),集電電流與基電流之比不但數(shù)值下降,且產(chǎn)生相移。使共射電流放大系數(shù)的數(shù)值下降到1的信號(hào)頻率稱為特征頻率 。


    限參數(shù)——是指為使晶體管安全工作,對(duì)它的電壓、電流和功率損耗的限制
    1:較大集電耗散功率


    決定于晶體管的溫升。當(dāng)硅管的溫度大于150℃、鍺管的溫度大于70℃時(shí),管子特性明顯變壞,甚至燒壞。對(duì)于確定型號(hào)的晶體管, 常數(shù)。對(duì)于大功率管的 ,應(yīng)特別注意條件,如對(duì)散熱片的規(guī)格要求。當(dāng)散熱條件不滿足要求時(shí),允許的較大功耗將小于 。


    2:較大集電電流


    在相當(dāng)大的范圍內(nèi) 值基本不變,但當(dāng) 的數(shù)值大到一定程度時(shí), 值將減小。使 值明顯減小的 即為 。對(duì)于合金型小功率管,定義當(dāng) 時(shí),由 得出的 即為 。


    實(shí)際上,當(dāng) 時(shí),晶體管不一定損壞,但 明顯下降。
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    3:間反向擊穿電壓


    晶體管的某一電開路時(shí),另外兩個(gè)電間所允許加的較高反向電壓稱為間反向擊穿電壓,過此值時(shí),管子會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象。


    是**開路時(shí),集電—基間的反向擊穿電壓,這是集電結(jié)所允許加的較高反向電壓。


    是基開路時(shí),集電—**間的反向擊穿電壓,此時(shí)集電結(jié)承受反向電壓。


    是集電開路時(shí),**—基間的反向擊穿電壓,這是**結(jié)所允許加的較高反向電壓。


    對(duì)于不同型號(hào)的管子, 為幾十伏到上千伏, ,而 只有1伏以下到幾伏。此外,集電—**間的擊穿電壓還有:b—e間,接電阻時(shí)的 ,短路時(shí)的 ,接反向電壓時(shí)的 等。


    在組成晶體管電路時(shí),應(yīng)根據(jù)需求選擇管子型號(hào)。例如用于組成音頻放大電路,則應(yīng)選低頻管;用于組成寬頻帶放大電路,則應(yīng)選高頻管或高頻管;用于組成數(shù)字電路,則應(yīng)選開關(guān)管;若管子溫升較高或反向電流要求小,則應(yīng)選用硅管;若要求b—e間導(dǎo)通電壓低,則應(yīng)選用鍺管。而且,為防止晶體管在使用中損壞,必須使之工作在安全區(qū)內(nèi),同時(shí)b—e間的反向電壓要小于 ;對(duì)于功率管,還必須滿足散熱條件。


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