近日,經(jīng)*人民共和國國家**審核,根據(jù)《zhrnghg計算機軟件保護條例》和《計算機軟件著作權(quán)登記辦法》的規(guī)定,“鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司-全資子公司鵬城微納技術(shù)(沈陽)有限公司”獲3項《zhrnghg國家**計算機軟件著作權(quán)登記證書》,分別是:《多功能磁控濺射系統(tǒng)軟件V1.0》、《高真空熱蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)軟件V1.0》、《立式多功能熱絲CVD沉積系統(tǒng)軟件V1.0》。從頒證之日起,該3項系統(tǒng)軟件的版權(quán)將得到中國版權(quán)保護中心的有效保護。
《多功能磁控濺射系統(tǒng)軟件V1.0》于2022年06月29日被正式授予《zhrnghg國家**計算機軟件著作權(quán)登記證書》,登記號為2022SR0864974。
《高真空熱蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)軟件V1.0》于2022年06月29日被正式授予《*人民共和國國家**計算機軟件著作權(quán)登記證書》,登記號為2022SR0864980。
《立式多功能熱絲CVD沉積系統(tǒng)軟件V1.0》于2022年06月29日被正式授予《*人民共和國國家**計算機軟件著作權(quán)登記證書》,登記號為2022SR0864979。
計算機軟件著作權(quán)是企業(yè)科技研發(fā)工作中的一項重要指標(biāo),反映了企業(yè)在自主知識產(chǎn)權(quán)成果方面的開發(fā)能力,是軟件的權(quán)利人對于軟件作品所享有的各項專有權(quán)利,是法律重點保護、技術(shù)出資入股和申請科技成果的重要依據(jù)。
此次鵬城微納榮獲的3項證書,全部由鵬城半導(dǎo)體**團隊獨立研發(fā),是企業(yè)深入貫徹半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計的發(fā)展理念,切實提高科研成果的轉(zhuǎn)化率,依托*技術(shù)推動創(chuàng)新發(fā)展所**的階段性成果。標(biāo)志著鵬城半導(dǎo)體的*能力在半導(dǎo)體領(lǐng)域得到了*的認(rèn)可和充分的肯定,同時在**領(lǐng)域上邁上了又一個新的臺階。
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司是一家集研發(fā)、制造、銷售于一體的科技企業(yè)。未來,我們將一如既往的秉持初心,為客戶創(chuàng)造較大**,為客戶帶去較專業(yè)、較精湛的產(chǎn)品與服務(wù)。
詞條
詞條說明
中國材料大會|鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
會議時間:2024年7月8-11日會議地點:廣州白云**會議中心主辦單位:中國材料研究學(xué)會“中國材料大會”是中國材料研究學(xué)會的學(xué)術(shù)年會,是重要的系列品牌會議之一,是中國新材料界學(xué)術(shù)水平較高、涉及領(lǐng)域較廣、*動態(tài)較新的****學(xué)術(shù)大會,是面向國家重大需求、推動新材料*重大突破的高水平品牌大會。為推動經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展,加快建設(shè)科技強國,實現(xiàn)高水平科技自立自強,擬于2024年7月8-11日在廣東省廣
化學(xué)氣相沉積設(shè)備(CVD)-小型管式LPCVD設(shè)備
LPECVD是在低壓高溫的條件下,通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科學(xué)研究、實踐教學(xué)、小型器件制造。小型管式LPCVD設(shè)備設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角?;螤铑愋停翰灰?guī)則形狀的散片、φ2~4
「喜訊」熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體榮獲4項軟件著作權(quán)**證書
近日,鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導(dǎo)體)申請的《PVD薄膜沉積系統(tǒng)軟件 》、《高真空濺射系統(tǒng)軟件》、《電子束蒸鍍薄膜沉積系統(tǒng)軟件》、《微米晶、納米晶金剛石薄膜CVD沉積系統(tǒng)軟件》4項軟件著作權(quán)**通過審批,經(jīng)*人民共和國國家**考證,根據(jù)《*人民共和國計算機軟件保護條例》和《計算機軟件著作權(quán)登記辦法》的規(guī)定,鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司被認(rèn)定這4項軟件的法定著作權(quán)人,從頒證
PVD技術(shù)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用
在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,物相沉積(PVD)是實現(xiàn)薄膜沉積工藝精度和效率的關(guān)鍵工具。讓我們一起來了解PVD技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用。物相沉積涉及在半導(dǎo)體襯底上沉積薄膜,利用諸如濺射或蒸發(fā)等物理過程。PVD的多功能性和可控性使其成為半導(dǎo)體制造中的寶貴工具,可以創(chuàng)建復(fù)雜和的設(shè)備。PVD在微電子學(xué)中的應(yīng)用薄膜晶體管(TFTs)PVD在TFT的制造中起著關(guān)鍵作用,TFT是平板顯示器、發(fā)光二管(OLED)
公司名: 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
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鵬城半導(dǎo)體 高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機 PC-004 真空度高、抽速快
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 PC05 高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機 電阻熱蒸發(fā)技術(shù)
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 PC04 電子束蒸鍍機
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 小型 PC08 化學(xué)氣相沉積小型LPCVD設(shè)備
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 PC07 化學(xué)氣相沉積LPCVD設(shè)備
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 高真空 PC06 等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 金剛石散熱晶圓片 襯底
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