創(chuàng)芯未來 鵬城半導(dǎo)體亮相*二屆碳基半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇

時間：2022-07-22作者：鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司瀏覽：152

半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)高、進步快，一代產(chǎn)品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設(shè)備。**半導(dǎo)體設(shè)備市場集中度高，主要有美日荷廠商壟斷，國內(nèi)自給率僅有 5%左右，國產(chǎn)替代空間巨大。尤其是隨著摩爾定律趨近極限，半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)進步放緩，國內(nèi)廠商與****技術(shù)差距正在逐漸縮短，未來 3-5 年將是半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代黃金戰(zhàn)略機遇期。




鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司作為一家半導(dǎo)體材料、工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造集一體的公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備**的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為**的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的**裝備設(shè)計師團隊，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。公司立足于技術(shù)*與市場*的交叉點，尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

總部位于深圳市光明區(qū)，設(shè)有中試基地，并在沈陽市設(shè)有全資子公司，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力，未來將充分發(fā)揮在信息化領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，以創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品持續(xù)為行業(yè)落地應(yīng)用賦能，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展。




2022年8月3-5日，鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司亮相由DT新材料主辦的*二屆碳基半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇（CarbonSemi 2022）展位號A20，相約浙江寧波東港喜來登酒店，歡迎大家蒞臨展位參觀交流！




參展展品-高真空磁控濺射儀

薄膜沉積是集成電路制造過程中**的環(huán)節(jié)，尤其是作為一種非熱式鍍膜技術(shù)應(yīng)用在微電子領(lǐng)域占據(jù)重要地位。傳統(tǒng)的薄膜沉積工藝主要有物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）等氣相沉積工藝。




高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。




設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點

秉承設(shè)備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設(shè)計和工程實現(xiàn)，實際運行效果良好，為用戶的**工藝實現(xiàn)提供了精準(zhǔn)的工藝設(shè)備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。




距離可調(diào)整：基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。




角度可調(diào)：磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精準(zhǔn)調(diào)控。

集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點： 安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）；占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800 mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設(shè)備。







控制系統(tǒng)：采用計算機＋PLC兩級控制系統(tǒng)




安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設(shè)置真空檢測與報警保護功能

-溫度檢測與報警保護

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量

-檢測與報警保護




勻氣技術(shù)：工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場較均勻，鍍膜較均勻。




基片加熱技術(shù)：采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。




真空度較高、抽速較快




真空室內(nèi)外，全部電化學(xué)拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜較純凈，真空度較高，抽速較快。




設(shè)備詳情

（一）設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

6、通入反應(yīng)氣體，可進行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動




（二）工作條件

供電：～ 380V 三相五線制

功率：根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

冷卻水循環(huán)：根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

水壓：1.5 ～ 2.5×10^5Pa

制冷量：根據(jù)扇熱量配置

水溫：18～25℃

氣動部件供氣壓力：0.5～0.7MPa

質(zhì)量流量控制器供氣壓力：0.05～0.2MPa

工作環(huán)境溫度：10℃～40℃

工作濕度：≤50%

（三）設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。

-基片架公轉(zhuǎn)速度：2 ～100 轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

-靶面到基片距離：30 ～ 140mm 可調(diào)。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10-5Pa，恢復(fù)工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮氣）。

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機 12 小時真空度≤10Pa。

LPCVD設(shè)備

LPCVD設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W(xué)研究、實踐教學(xué)、小型器件制造。




設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點

1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本

兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。

2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)

由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了**的檢測和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。




LPCVD設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

成膜類型：Si3N4、Poly-Si、SiO2等

較高溫度：1200℃

恒溫區(qū)長度：根據(jù)用戶需要配置

恒溫區(qū)控溫精度：≤±0.5℃

工作壓強范圍：13～1330Pa

膜層不均勻性：≤±5％

基片每次裝載數(shù)量：標(biāo)準(zhǔn)基片:1～3片;不規(guī)則尺寸散片:若干

壓力控制：閉環(huán)充氣式控制

裝片方式：手動進出樣品

生產(chǎn)型LPCVD設(shè)備簡介

設(shè)備功能

該設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

可提供相關(guān)鍍膜工藝。




設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點：

設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)，由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了**的檢測和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。

整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理，實現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進行監(jiān)測和自動控制。也可以手動控制。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

成膜類型：Si3N4、Poly-Si、SiO2等

較高溫度：1200℃

恒溫區(qū)長度：根據(jù)用戶需要配置

恒溫區(qū)控溫精度：≤±0.5℃

工作壓強范圍：13～1330Pa

膜層不均勻性：≤±5％

基片每次裝載數(shù)量：100片

設(shè)備總功率：16kW

冷卻水用量：2m3/h

壓力控制：閉環(huán)充氣式控制

裝片方式：懸臂舟自動送樣

LPCVD軟件控制界面




熱絲CVD金剛石設(shè)備

研發(fā)設(shè)計制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備，分為實驗型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。

設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產(chǎn)制造環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的耐腐蝕金剛石導(dǎo)電電極。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。




平面工作尺寸

圓形平面工作的尺寸：較大φ650mm。

矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定（如：工件長度1200mm）。

配置冷水樣品臺

熱絲電源功率

可達300KW，1KW ～300KW可調(diào)（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）

設(shè)備安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設(shè)置真空檢測與報警保護功能

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測和流量檢測與報警保護

-設(shè)置水壓檢測與報警保護裝置

-設(shè)置水流檢測報警裝置




設(shè)備構(gòu)成

真空室構(gòu)成

雙層水冷結(jié)構(gòu)，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門，真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲、或鎢絲

熱絲溫度：1800℃～ 2500℃ 可調(diào)

樣品臺

可水冷、可加偏壓、可旋轉(zhuǎn)、可升降 ，由調(diào)速電機控制，可實現(xiàn)自動升降，（熱絲與襯底間距在5 ～ 100mm范圍內(nèi)可調(diào)），要求升降平穩(wěn),上下波動不大于0.1mm。

工作氣路（CVD）

工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置：

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度**)

CH4(200sccm，濃度**)

B2H6（50sccm，H2濃度99%）

Ar(1000sccm，濃度**)

真空獲得及測量系統(tǒng)

控制系統(tǒng)及軟件

實驗型 熱絲CVD金剛石設(shè)備

單面熱絲CVD金剛石設(shè)備

雙面熱絲CVD金剛石設(shè)備

生產(chǎn)型熱絲CVD金剛石設(shè)備

可制備金剛石面積-寬650*1200mm

可制備金剛石φ 650mm

在此小編就不一一介紹了，咱們8月3日-8月5日相約寧波東港喜來登酒店了解更多。


鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司專注于PVD鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積C,金剛石涂層,分子束外延MBE等

• 詞條

  詞條說明

• 新聞快訊-鵬城半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備

  材料的輸運采取了**純的氣路系統(tǒng)，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術(shù)。由于組合閥具有較小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力，大大降低了源的壓力和濃度波動，有利于材料生長的重復(fù)性和穩(wěn)定性。采用了管道鑲嵌式進氣噴頭，使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng)，大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。

• 「喜訊」熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體榮獲4項軟件著作權(quán)**證書

  近日，鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導(dǎo)體）申請的《PVD薄膜沉積系統(tǒng)軟件 》、《高真空濺射系統(tǒng)軟件》、《電子束蒸鍍薄膜沉積系統(tǒng)軟件》、《微米晶、納米晶金剛石薄膜CVD沉積系統(tǒng)軟件》4項軟件著作權(quán)**通過審批，經(jīng)*人民共和國國家**考證，根據(jù)《*人民共和國計算機軟件保護條例》和《計算機軟件著作權(quán)登記辦法》的規(guī)定，鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司被認定這4項軟件的法定著作權(quán)人，從頒證

• 為您提供高性價比真空鍍膜設(shè)備解決方案《520愛情風(fēng)暴來襲》

  真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作過程，簡單來說就是將一種材料(薄膜材料）轉(zhuǎn)移到另一種材料(基底)的表面，形成和基底牢固結(jié)合的薄膜的過程。所以，任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個重要環(huán)節(jié)。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發(fā)源“源"的作用是提供鍍膜的材料（或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學(xué)的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質(zhì)。熱絲CVD金剛石設(shè)備二、遷移過程遷移過程都是在氣相中進行的，在氣態(tài)物質(zhì)遷

• 熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體獲得*六屆中國·湖州**高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽一等獎

  4月16日，“才聚西塞山 青創(chuàng)南太湖”*六屆中國·湖州**高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽暨深圳城市賽正式開賽，前期共征集20多個高層次人才創(chuàng)業(yè)項目，經(jīng)過層層篩選，共有9個項目進入本次城市賽，涉及新能源、新材料、生命健康、AI智能等多個領(lǐng)域。鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司-副總經(jīng)理孔博士經(jīng)過激烈的角逐，鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導(dǎo)體）-“大尺寸金剛石晶圓片產(chǎn)業(yè)化項目”“斬獲了本次城市賽的一