2022.03.31較新資訊-早知道

時(shí)間：2022-03-31作者：鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司瀏覽：328

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備，分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。

設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產(chǎn)制造環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的耐腐蝕金剛石導(dǎo)電電極。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

平面工作尺寸

圓形平面工作的尺寸：較大φ650mm。

矩形工作尺寸的寬度600mm/長(zhǎng)度可根據(jù)鍍膜室的長(zhǎng)度確定（如：工件長(zhǎng)度1200mm）。

配置冷水樣品臺(tái)。

熱絲電源功率

可達(dá)300KW，1KW ～300KW可調(diào)（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）

設(shè)備安全性

-電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

-設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測(cè)和流量檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

-設(shè)置水壓檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)裝置

-設(shè)置水流檢測(cè)報(bào)警裝置

設(shè)備構(gòu)成

真空室構(gòu)成

雙層水冷結(jié)構(gòu)，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門，真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲、或鎢絲

熱絲溫度：1800℃～ 2500℃ 可調(diào)

樣品臺(tái)

可水冷、可加偏壓、可旋轉(zhuǎn)、可升降 ，由調(diào)速電機(jī)控制，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升降，（熱絲與襯底間距在5 ～ 100mm范圍內(nèi)可調(diào)），要求升降平穩(wěn),上下波動(dòng)不大于0.1mm。

工作氣路（CVD）

工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置：

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度**)

CH4(200sccm，濃度**)

B2H6（50sccm，H2濃度99%）

Ar(1000sccm，濃度**)

真空獲得及測(cè)量系統(tǒng)

控制系統(tǒng)及軟件

二、實(shí)驗(yàn)型 熱絲CVD金剛石設(shè)備

單面熱絲CVD金剛石設(shè)備

雙面熱絲CVD金剛石設(shè)備

生產(chǎn)型熱絲CVD金剛石設(shè)備

可制備金剛石面積-寬650*1200mm

可制備金剛石φ 650mm

公司已投放市場(chǎng)的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射鍍膜機(jī)、電子束鍍膜機(jī)、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，激光沉積設(shè)備PLD、離子束濺射鍍膜機(jī)、磁控與離子束復(fù)合鍍膜機(jī)

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|**高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其它

金剛石薄膜制備設(shè)備、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備、合金退火爐

|真空鍍膜機(jī)**電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）、控制系統(tǒng)及軟件

團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績(jī)分布

完全自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE**高真空外延生長(zhǎng)室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺(tái)、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長(zhǎng)的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10-8Pa。典型用戶：浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

采用磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD技術(shù)，設(shè)計(jì)制造了團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線。典型用戶：中科院電工所。

采用熱絲法，設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與生產(chǎn)。典型用戶：中國(guó)科學(xué)院金屬研究所。

設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng)，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。典型用戶：武漢國(guó)家光電實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了科研型的磁控濺射儀，典型用戶：南方科技、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、南京大學(xué)、浙江大學(xué)、南開大學(xué)、武漢理工大學(xué)。

設(shè)計(jì)制造了磁控濺射生產(chǎn)型設(shè)備，用于半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)，典型用戶：武漢光迅科技有限公司、深圳彩煌熱電技術(shù)公司。

設(shè)計(jì)制造了OLED**半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。典型用戶：中國(guó)香港城市大學(xué)**材料實(shí)驗(yàn)室、吉林奧來(lái)德光電材料股份有限公司。

設(shè)計(jì)制造了電子束鍍膜機(jī)。典型用戶：武漢理工大學(xué)、南方科技大學(xué)、中國(guó)計(jì)量大學(xué)。

設(shè)計(jì)制造了高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)、高真空電極制備鍍膜機(jī)。典型用戶：江蘇大學(xué)、北京大學(xué)。

團(tuán)隊(duì)在*三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

2019年

設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。

2017年

-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。

-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。

2001年與南昌大學(xué)合作

設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2015年中科院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室合作

制造了金剛石外延設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。

2007年與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作

設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。

2006年與中國(guó)科技大學(xué)合作

設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)**高溫CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生長(zhǎng)。

2005年與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作

設(shè)計(jì)制造了**臺(tái)完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備，用于外延光電半導(dǎo)體材料。


鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司專注于PVD鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積C,金剛石涂層,分子束外延MBE等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

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