肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

時間：2021-11-15作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：401

肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢壘二管（簡稱SBD），是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二管，



其主要特點是正向?qū)▔航敌。s0.45V），反向恢復(fù)時間短和開關(guān)損耗小，是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別，

它的內(nèi)部是由陽金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰層及陰金屬等構(gòu)成

在N型基片和陽金屬之間形成肖特基勢壘。

當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽金屬接電源正，N型基片接電源負）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變?。?/p>

反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

肖特基二管存在的問題是耐壓比較低，反向漏電流比較大。

目前應(yīng)用在功率變換電路中的肖特基二管的大體水平是耐壓在150V以下，平均電流在100A以下，反向恢復(fù)時間在10～40ns。肖

特基二管應(yīng)用在高頻低壓電路中，是比較理想的。

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編輯精選內(nèi)容：

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電源IC對封裝的要求

肖特基二管不同封裝的功能

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  詞條說明

• 肖特基二管的優(yōu)缺點

  肖特基二管的優(yōu)勢SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面：1）由于肖特基勢壘高度PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？?，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

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