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CR5269S 是一款的電流控制型PWM開關(guān)芯片,滿足六級能效
CR5269SSK 是一款的電流控制型PWM開關(guān)芯片,滿足六級能效CR5269SSK 是一款的電流控制型 PWM 開關(guān),全電壓范圍內(nèi)待機(jī)功耗小于 75mW,滿足能效六標(biāo)準(zhǔn)。為了減少待機(jī)功耗和提升效率,CR5269SSK 集成了多種工作模式。隨著負(fù)載的變化,CR5269SSK 可以工作在三種不同的模式,并且每種模式都做了優(yōu)化。當(dāng)負(fù)載很重時(shí),系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的 PWM(脈沖寬度調(diào)制)模式。當(dāng)負(fù)載變輕時(shí),
肖特基二管用久了,難免會磕磕碰碰,但是一般情況下肖特基二管損壞的原因是什么呢?肖特基二管損壞常見的原因一、運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任,對外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至二天上午6點(diǎn)之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障,運(yùn)行人員沒有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過電壓而將肖特基二管擊穿損壞。二、運(yùn)行條件惡劣。間接傳動(dòng)的發(fā)電機(jī)組,因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的
MOS管的選型是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本,同時(shí)也會給工程師帶來諸多麻煩,下面就跟著銀聯(lián)寶科技一起來學(xué)習(xí)下MOS管正確的選擇方法吧!一步:選用N溝道還是P溝道為設(shè)計(jì)選擇正確器件的一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于
CR5267TX較低啟動(dòng)電源芯片特點(diǎn)
CR5267TX是一款低啟動(dòng)電源芯片,其主要特點(diǎn)包括高效率、低靜態(tài)電流、高耐壓以及寬工作電壓范圍等。首先,CR5267TX具有高效率的特性。在正常工作狀態(tài)下,該芯片能夠利用電能轉(zhuǎn)換技術(shù),將輸入的交流電轉(zhuǎn)化為直流電,同時(shí)將大部分能量轉(zhuǎn)化為熱能消耗掉,只有微小的部分轉(zhuǎn)化為輸出功率,從而實(shí)現(xiàn)了高效率的電源轉(zhuǎn)換。這對于節(jié)能減排,降低能源消耗具有重要意義。其次,CR5267TX具有低靜態(tài)電流的特點(diǎn)。在芯片未
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