焊機(jī)**快恢復(fù)二極管DBA200UA60 DBA200UA40



    蘇州徳昇锘科技有限公司是一家從事電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的分銷商,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到民用,工業(yè),通信,等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中。專注為電焊機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、逆變電源、電力電源、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供**的半導(dǎo)體功率器件。我們擁有穩(wěn)固的供貨渠道,**的質(zhì)量保證,競爭力強(qiáng)的價格,快捷的交貨和完善周到的服務(wù)。
       
       IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊、二極管、三極管、可控硅、整流橋、IGBT單管、IGBT電路驅(qū)動板、GTR達(dá)林頓模塊、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、熔斷器、IC集成電路、快速熔斷器等。


       代理經(jīng)營**公司生產(chǎn)的電力電子器件,主要品牌括:

    Infineon英飛凌、EUPEC歐派克、SANREX三社、IXYS艾賽斯、SEMIKRON西門康、FUJI富士、MISUBISHI三菱、新電元、東芝、IR、西門子、英達(dá)、三肯、三洋、APT、ST、美高森美、巴斯曼BUSSMANN、法國羅蘭等。




    蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等

  • 詞條

    詞條說明

  • 可控硅的好壞如何判斷?

    方法一:測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1

  • igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊

    由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵較通過一層氧化膜與**較實現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),變頻器,變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是**的*三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例s

  • 4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

    4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IGBT模塊,額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設(shè)計旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預(yù)計將主要應(yīng)用在工業(yè)級驅(qū)動、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小,支持單開關(guān)模塊、半橋模塊、斬波器

  • 二極管模塊如何測量好壞

    萬用表檢測普通二極管的襲極性與好壞。檢測原理:根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個數(shù)值相差越大越好。若相差不多說明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測量時,選用萬用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因為Rxl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大,易擊穿二極管.測量方法:將兩表棒分別接在二極管

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