小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

    富士電機(jī)與日本山梨大學(xué)的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊,這個(gè)IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別,此次開發(fā)品的特點(diǎn)在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅,或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導(dǎo)體**會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。據(jù)介紹,在海外,該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊已被用于2012年底上市的混合動力車(HEV),而在日本,小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊將配備在的HEV上。
    蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等

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    可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放

  • 4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

    4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IGBT模塊,額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設(shè)計(jì)旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將主要應(yīng)用在工業(yè)級驅(qū)動、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小,支持單開關(guān)模塊、半橋模塊、斬波器

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