RoHS檢測(cè)儀之XRF的原理詳解及采購(gòu)建議

時(shí)間：2020-10-14作者：江蘇天瑞儀器股份有限公司瀏覽：314

X射線定義：

l X射線是一種波長(zhǎng)較短的電磁輻射,通常是指能量范圍在0.1-100KeV的光子.X射線與物質(zhì)的相互作用主要有熒光.吸收.散射三種。X射線的熒光物質(zhì)中的組成元素產(chǎn)生特征輻射,通過測(cè)量和分析樣品產(chǎn)生的X射線熒光,即可獲得樣品中的元素組成,得到物質(zhì)成分的定性和定量信息.

l X射線光譜儀通?？煞譃閮纱箢?波長(zhǎng)色散(WDXRF)和能量色散(EDXRF)X射線熒光光譜儀.

l X射線熒光分析技術(shù)的缺點(diǎn)是檢出限不夠低,不適于分析輕元素,依賴標(biāo)樣,分析液體樣品手續(xù)比較麻煩.由于電感耦合等離子質(zhì)譜儀(ICP-MS)具有較佳的痕量.**痕量分析能力.因此目前國(guó)內(nèi)外分析實(shí)驗(yàn)室一種流行的趨勢(shì)是同時(shí)配備X射線熒光光譜儀和電感耦合等離子質(zhì)譜儀(ICP-MS).利用XRF分析含量較高的元素,而用ICP-MS分析低濃度的元素.

X熒光的基礎(chǔ)知識(shí)

由于K層電子與L/M層電子能量不同，補(bǔ)位電子會(huì)釋放出多余能量，該能量的表現(xiàn)形式為X熒光（躍遷）。此熒光可被探測(cè)器接受測(cè)量并可反映出元素的具體信息。經(jīng)過分析后較終獲得元素種類及組成比例的信息。

當(dāng)X光束照射到測(cè)試樣品上，受照射區(qū)域物質(zhì)的組成元素的內(nèi)層電子，會(huì)應(yīng)受到X光轟擊溢出，為保持其內(nèi)部平衡，該原子L層或M層的外層電子會(huì)補(bǔ)充這個(gè)電子空位。

特征X射線的產(chǎn)生機(jī)理

l 同樣當(dāng)K空位被M層電子填充時(shí)，則產(chǎn)生Kβ輻射。M能級(jí)與K能級(jí)之差大于L能級(jí)與K能級(jí)之差，即一個(gè)Kβ光子的能量大于一個(gè)Kα光子的能量； 但因L→K層躍遷的幾率比M→K遷附幾率大，故Kα輻射強(qiáng)度比Kβ輻射強(qiáng)度大五倍左右。

l 顯然， 當(dāng)L層電子填充K層后，原子由K激發(fā)狀態(tài)變成L激發(fā)狀態(tài)，此時(shí)較外層如M、N……層的電子將填充L層空位，產(chǎn)生L系輻射。因此，當(dāng)原子受到K激發(fā)時(shí)，除產(chǎn)生K系輻射外，還將伴生L、M……等系的輻射。除K系輻射因波長(zhǎng)短而不被窗口完全吸收外，其余各系均因波長(zhǎng)長(zhǎng)而被吸收。

l Kα雙線的產(chǎn)生與原子能級(jí)的精細(xì)結(jié)構(gòu)相關(guān)。L層的8個(gè)電子的能量并不相同，而分別位于三個(gè)亞層上。Kα雙線系電子分別由LⅢ和LⅡ兩個(gè)亞層躍遷到K層時(shí)產(chǎn)生的輻射，而由LI亞層到K層因不符合選擇定則（此時(shí)Δl＝0），因此沒有輻射。

X射線熒光

光譜學(xué)上的“熒光”：泛指物質(zhì)受到外來(lái)的原級(jí)輻射照射時(shí)，物質(zhì)發(fā)出的次級(jí)輻射，波長(zhǎng)（能量）在X射線范圍的熒光叫X射線熒光。不僅X射線可以產(chǎn)生熒光，可見光、紫外線也可以產(chǎn)生熒光。

l 我們是根據(jù)已知濃度的樣品.XXPb=100ppm在我們的儀器里測(cè)試得出一個(gè)強(qiáng)度XXPb=1.5cps，X軸是濃度，Y軸是強(qiáng)度，100ppm和1.5cps交匯出了一個(gè)標(biāo)樣點(diǎn).然后在拿另外一個(gè)已知濃度的樣品在得出一個(gè)標(biāo)樣點(diǎn),然后兩個(gè)點(diǎn)擬合成一條直線.然后這條曲線我們就完成了.當(dāng)然我們用的不只是兩個(gè)標(biāo)樣.

軟件計(jì)算方法

l 探測(cè)器得出特征譜線計(jì)數(shù)率- 軟件通過計(jì)數(shù)率得出強(qiáng)度 - 特征譜強(qiáng)度對(duì)應(yīng)工作區(qū)得出濃度.

l 探測(cè)器通過下面公式得出特征譜線計(jì)數(shù)率n (公式中s是計(jì)數(shù)率的統(tǒng)計(jì)漲落，n是特征譜線計(jì)數(shù)率，B是散射背景計(jì)數(shù)率，T是采樣時(shí)間，h是峰背比n/B)。

l 得出了特征譜的計(jì)數(shù)率n.我們的軟件通過n于歸一特征線的比得出了特征譜的強(qiáng)度Ii然后工作區(qū)得出了濃度Cippm.

l 高壓電源 美國(guó) Spellman

l X光管 國(guó)產(chǎn) 頤維科

l 探測(cè)器 美國(guó) Amptek X-123

l 軟件分析方法 經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法/FP法

高壓電源的技術(shù)參數(shù)與說明

關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)：穩(wěn)定性，包括：

l 輸入電壓input voltage: DC +24v DC +- 10%，

l 輸入電流：4.0A（較大maximum）

l 輸出電壓Output voltage: 0 -50Kv @ 1mA

l 電壓穩(wěn)定性：

l 最大功率Maximum Power： 50W

高壓電源的作用

高壓電源為X光管提供供電，是保證儀器測(cè)試數(shù)據(jù)精密度與準(zhǔn)確度的基礎(chǔ)。我司儀器選用高性能進(jìn)口高壓電源來(lái)確保供電條件的較優(yōu)化。

X射線管

（1） 陰極——**電子。一般由鎢絲制成，通電加熱后釋放出熱輻射電子。

（2） 陽(yáng)極——靶，使電子突然減速并發(fā)出X射線。

（3） 窗口——X射線出射通道。既能讓X射線出射，又能使管密封。窗口材料用金屬鈹或硼酸鈹鋰構(gòu)成的林德曼玻璃。窗口與靶面常成3-6°的斜角，以減少靶面對(duì)出射X射線的阻礙。

（4） 高速電子轉(zhuǎn)換成X射線的效率只有1%，其余99%都作為熱而散發(fā)了。所以靶材料要導(dǎo)熱性能好，常用黃銅或紫銅制作，還需要循環(huán)水冷卻。因此X射線管的功率有限，大功率需要用旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極

（5） 焦點(diǎn)——陽(yáng)極靶表面被電子轟擊的一塊面積，X射線就是從這塊面積上**出來(lái)的。焦點(diǎn)的尺寸和形狀是X射線管的重要特性之一。焦點(diǎn)的形狀取決于燈絲的形狀，螺形燈絲產(chǎn)生長(zhǎng)方形焦點(diǎn)

X射線衍射工作中希望細(xì)焦點(diǎn)和高強(qiáng)度；細(xì)焦點(diǎn)可提高分辨率；高強(qiáng)度則可縮短暴光時(shí)間

X光管產(chǎn)生X射線的過程

向陽(yáng)極靶，陽(yáng)極受到高X射線發(fā)生器給X射線管的鎢燈絲提供加熱電流又在陽(yáng)極與燈絲之間提供高壓電場(chǎng)，X射線管的鎢燈絲受熱產(chǎn)生了電子云。電子云在高壓電場(chǎng)的作用下，沿聚焦管加速飛速電子的轟擊，陽(yáng)極靶材吸收了足夠的能量。原子的內(nèi)層電子便按一定的規(guī)律實(shí)現(xiàn)能級(jí)間的躍遷，在去激過程中。將所吸收的能量以X射線的形式向窗外**。

X光管在使用過程中的損壞因素主要為

l 燈絲燒斷

l 靶材擊穿

l 管體內(nèi)真空遭破壞

l 燈絲加熱過程中逸出金屬霧，附著鈹窗，造成鈹窗*大幅度降低

l 中國(guó)七五,九五科技攻關(guān)已經(jīng)掌握了X熒光的多元素分析技術(shù)，X光管生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)成熟，我司技術(shù)發(fā)源與七五,九五科技攻關(guān)，目前積極參于光管制造廠家的生產(chǎn)制造過程，設(shè)計(jì)并定制了專有型號(hào)，對(duì)上述因素進(jìn)行了設(shè)計(jì)改良，充分確保X光管的高壽命。

l 較佳分辨率：149±5eV.

l 較高計(jì)數(shù)率：2 X 10 5 CPS

l 峰背比≥ 5000/1 （天/信噪比增強(qiáng)器）

l 能響曲線 1KeV ~40KeV

注：探測(cè)器分辨率值越低表示探測(cè)器越靈敏

SDD

硅漂移探測(cè)器(SDD, Silicon Drift Detector)早期叫Silicon Drift Chamber(SDC)，是由氣體探測(cè)器中的漂移室類比得出的名字，所以也叫硅漂移室或者硅漂移室探測(cè)器。硅漂移探測(cè)器的原理與已往的半導(dǎo)體探測(cè)器全然不同，是由意大利的Emilio Gatti和美國(guó)的Pavel Rehak提出的。硅漂移探測(cè)器（SDD）是在高純n型硅片的射線入射面制備一大面積均勻的pn突變結(jié)，在另外一面的*制備一個(gè)點(diǎn)狀的n型陽(yáng)極，在陽(yáng)極的周圍是許多同心的p型漂移電極。在工作時(shí)，器件兩面的pn結(jié)加上反向電壓，從而在器件體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)勢(shì)阱(對(duì)電子)。在漂移電極上加一個(gè)電位差會(huì)在器件內(nèi)產(chǎn)生一橫向電場(chǎng)，它將使勢(shì)阱彎曲從而迫使入射輻射產(chǎn)生的信號(hào)電子在電場(chǎng)作用下先向陽(yáng)極漂移，到達(dá)陽(yáng)極(讀出電極)附近才產(chǎn)生信號(hào)。硅漂移探測(cè)器的陽(yáng)極很小因而電容很小，同時(shí)它的漏電流也很小，所以用電荷靈敏前置放大器可低噪聲、快速地讀出電子信號(hào)。（請(qǐng)參看“專業(yè)詞典”頁(yè)面的硅漂移探測(cè)器原理功能動(dòng)畫圖）

PIN探測(cè)器和硅PIN、Si-PIN探測(cè)器

什么是PIN :PIN是半導(dǎo)體器件的許多種結(jié)構(gòu)之一，是由一層P型半導(dǎo)體（受主雜質(zhì)為主導(dǎo)，帶正電荷[Positive]的空穴是多數(shù)載流子）和一層N型半導(dǎo)體（受主雜質(zhì)為主導(dǎo)，帶負(fù)電荷[Negative]的電子是多數(shù)載流子）以及它們中間的一層I(Intrinsic[本征半導(dǎo)體即沒有雜質(zhì)或者施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)正好完全補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體]或者Insulator[絕緣體])層組成的結(jié)構(gòu)。

PIN探測(cè)器和硅PIN、Si-PIN探測(cè)器

PIN探測(cè)器是具有PIN結(jié)構(gòu)的（其中間層實(shí)際上是高阻的全耗盡層，其載流子很少，與本征層和絕緣體層有類似之處）用于探測(cè)光和射線的探測(cè)器件。硅PIN探測(cè)器室溫下的漏電流在納安（nA）數(shù)量級(jí)，比其上一代的硅面壘探測(cè)器要小差不多3個(gè)數(shù)量級(jí)，是硅面壘探測(cè)器的換代產(chǎn)品，但是PIN探測(cè)器的電容仍然和面壘探測(cè)器一樣，隨探測(cè)器面積的增大而正比增大，這導(dǎo)致探測(cè)器噪聲還是偏大，同時(shí)成形時(shí)間常數(shù)不能太小因而計(jì)數(shù)率不能高。這就是PIN探測(cè)器不僅在技術(shù)上而且在性能上也要比硅漂移探測(cè)器差整整一代的原因。

絕大多數(shù)PIN探測(cè)器是用硅做的，所以如果不特別指出，PIN探測(cè)器指的就是Si-PIN或者硅PIN探測(cè)器。現(xiàn)代硅PIN探測(cè)器是由德國(guó)KETEK公司的創(chuàng)建者Kemmer博士在20世紀(jì)70年代末首先采用改進(jìn)的平面工藝技術(shù)研制成功的，現(xiàn)在全世界都采用他的這一方法來(lái)制備高性能的半導(dǎo)體探測(cè)器。

硅PIN探測(cè)器實(shí)際上就是硅PN（結(jié)）探測(cè)器，這里只是強(qiáng)調(diào)其耗盡層很厚，以便與耗盡層很薄的一般電子器件的PN結(jié)區(qū)別開。

（附注：硅PIN探測(cè)器中的PIN與“針”字沒有任何關(guān)系，不贊成把Si-PIN翻譯成“硅針”或“Si針”。）

硅(鋰)[ Si(Li)]探測(cè)器

硅(鋰)[ Si(Li)]探測(cè)器，也叫硅鋰漂移探測(cè)器。是在P型硅表面蒸發(fā)一層金屬鋰并擴(kuò)散形成PN結(jié)，然后在反向電壓和適當(dāng)溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中，由于鋰離子很*吸引一個(gè)自由電子而成為施主，從而與硅中的P型（受主）雜質(zhì)實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償而形成高阻的本征層(探測(cè)器的靈敏區(qū))。硅(鋰)探測(cè)器的特點(diǎn)是靈敏層厚度可以做得相當(dāng)大（3-10毫米），因而探測(cè)器電容也能夠小一些，探測(cè)效率高，但是必須在液氮冷卻下才能工作和長(zhǎng)期保存（因?yàn)樵谑覝叵落囯x子的擴(kuò)散已經(jīng)不能忽略不計(jì)，鋰離子擴(kuò)散的結(jié)果必然導(dǎo)致在制備硅(鋰)探測(cè)器時(shí)達(dá)到的精密補(bǔ)償被破壞，而在液氮溫度下鋰離子的擴(kuò)散是可以忽略不計(jì)的。），一般說來(lái)其能量分辨、高計(jì)數(shù)率性能、使用方便性、體積和價(jià)格等性能都不如硅漂移探測(cè)器。請(qǐng)注意：硅鋰漂移探測(cè)器和硅漂移探測(cè)器是兩種不同的探測(cè)器，硅鋰漂移探測(cè)器是因?yàn)樵谥圃爝^程中采用了鋰離子漂移補(bǔ)償?shù)姆椒ǘ妹?，而硅漂移探測(cè)器則是射線產(chǎn)生的載流子（電子-空穴對(duì)）中的電子先必須漂移到陽(yáng)極區(qū)以后才能形成可以測(cè)量的電信號(hào)（硅漂移探測(cè)器中空穴對(duì)電信號(hào)沒有貢獻(xiàn)）而得名。硅漂移探測(cè)器的原理和制備過程與硅(鋰)探測(cè)器截然不同，硅漂移探測(cè)器靈敏區(qū)的所有表面都有高質(zhì)量的二氧化硅保護(hù)層，同時(shí)硅漂移探測(cè)器中也沒有鋰離子，較沒有鋰離子擴(kuò)散的問題，因而硅漂移探測(cè)器在室溫下沒有變壞的問題。

脈沖處理系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)與說明

l 前置放大器

l 主放大器

l 數(shù)字化多道脈沖處理器（MCA）

任何的電子電路都會(huì)造成電子漂移，產(chǎn)生儀器誤差，以上系統(tǒng)可以有效的補(bǔ)償漂移效應(yīng)，確保儀器精確度。

成型時(shí)間 放大倍數(shù)軟件根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況自動(dòng)調(diào)整。達(dá)到較佳效果

其他重要參數(shù)

l 輻射防護(hù)系統(tǒng)

鴻永精儀的輻射防護(hù)系統(tǒng)現(xiàn)有兩種結(jié)構(gòu)

整機(jī)全鉛版防護(hù)迷宮+自動(dòng)保護(hù)裝置

射線區(qū)域全封閉結(jié)構(gòu)+自動(dòng)保護(hù)裝置

l 濾光片系統(tǒng)

多組濾光片自動(dòng)選擇系統(tǒng)

針對(duì)不同材質(zhì)的測(cè)試對(duì)象，其激發(fā)的X熒光中帶有特定的干擾雜波，必須采用特定的濾光片進(jìn)行初步處理，以提高光效質(zhì)量，確保良好的測(cè)試效果。華唯公司選用的七組濾光片系統(tǒng)是經(jīng)過數(shù)萬(wàn)次實(shí)驗(yàn)的較終科技成果，具有良好的濾光及控制效果。

l 整機(jī)電路系統(tǒng)

優(yōu)良的整機(jī)電路系統(tǒng)是精密儀器穩(wěn)定性與精確度的基礎(chǔ)保證。

XRF內(nèi)部電路設(shè)計(jì)嚴(yán)謹(jǐn)，各類屏蔽與干擾控制機(jī)件得當(dāng)，安裝與調(diào)試完全符合**標(biāo)準(zhǔn)。有效的保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性

數(shù)據(jù)分析軟件

l 在XRF技術(shù)中，數(shù)據(jù)分析與處理技術(shù)較為深?yuàn)W，檢測(cè)樣品中基材對(duì)于測(cè)試元素的干擾、相鄰元素間的干擾、本底對(duì)于測(cè)試的干擾等雖經(jīng)過光路控制可以得到一定程度抑制，但較終仍需通過數(shù)據(jù)分析軟件，進(jìn)行剔除、篩選、分析并較終得出結(jié)論。數(shù)據(jù)分析軟件對(duì)于XRF的優(yōu)異具有決定性影響。

l 現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)外XRF儀器的數(shù)據(jù)分析軟件主要分為以下幾種理論分析模型基礎(chǔ)：經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法/理論＠系數(shù)法/基本參數(shù)(FP)法等。相互間互有側(cè)重，自成一體。

l 我司產(chǎn)品集合二十多年分析模型研究基礎(chǔ)，結(jié)合長(zhǎng)期的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，成功的將三類理論模型進(jìn)行結(jié)合，應(yīng)用與我司系列產(chǎn)品的數(shù)據(jù)分析軟件中?？紤]各類變量較多，剔除各類影響因素較多。充分適合與多材料的工廠生產(chǎn)實(shí)際需求。

開放性工作曲線

l 各企業(yè)實(shí)際使用的物料千差萬(wàn)別，任何測(cè)試儀器廠家均無(wú)能力窮盡所有物料，并在儀器上預(yù)制相關(guān)的工作曲線。各廠家只會(huì)在機(jī)器中預(yù)制常用的物料類型的工作曲線。

l 不具備與物料匹配的工作曲線時(shí)大多數(shù)儀器廠家會(huì)要求企業(yè)選擇相近物料的工作曲線進(jìn)行測(cè)試，這種做法往往會(huì)導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果偏差較大、部分濃度區(qū)間的物料測(cè)試結(jié)果偏差較大或根本無(wú)法測(cè)試。

l **電工**推薦XRF儀器需設(shè)立開放性工作曲線，使用戶根據(jù)自己的風(fēng)險(xiǎn)物料特點(diǎn)建立自己符合的物料范圍的工作曲線庫(kù)，從而確保較加良好的測(cè)試效果。然而由于各種原因現(xiàn)階段在機(jī)器中設(shè)立開放性工作曲線的廠商**。

l 在儀器中設(shè)置開放性工作曲線代表著儀器廠家對(duì)于產(chǎn)品穩(wěn)定性與線性的充分信心。亦表明其技術(shù)的良好性。

l 現(xiàn)階段我司全線產(chǎn)品中均預(yù)制開放性工作曲線功能，滿足用戶進(jìn)一步物料檢測(cè)需求。

XRF好壞的評(píng)估方法

l 儀器安全性

XRF為X射線產(chǎn)品，X射線具備累計(jì)性及身體不可感知性，故其對(duì)于人員的危害性較加隱蔽、較加危險(xiǎn)。優(yōu)良的XRF必須首先確保零輻射的基本條件實(shí)現(xiàn)。

用戶可以詳細(xì)了解儀器廠家的防護(hù)原理、防護(hù)措施、索要相關(guān)檢驗(yàn)證書。有條件的還可使用X射線探測(cè)器進(jìn)行實(shí)際檢驗(yàn)。

l 儀器穩(wěn)定性測(cè)試

XRF屬于對(duì)比型分析儀器，其數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性及同一樣品的再現(xiàn)性對(duì)于后期鑒定及測(cè)試較為重要。

將各種有害元素居中的樣品用儀器進(jìn)行測(cè)量，連續(xù)測(cè)量21次（即95﹪的置信度），這21次的結(jié)果波動(dòng)誤差范圍基本上反映了正常使用時(shí)，儀器測(cè)量的誤差范圍；此誤差范圍應(yīng)該小于我們要求的測(cè)量誤差。

l 儀器分辨能力測(cè)試

對(duì)不同含量的樣品測(cè)試數(shù)據(jù)是否保持相關(guān)線形，是決定未來(lái)測(cè)試不同含量樣品是否可以產(chǎn)生相關(guān)的數(shù)據(jù)變化，從而引起檢測(cè)人員關(guān)注的重要屬性。

使用的儀器工作曲線，逐個(gè)對(duì)準(zhǔn)備好的樣品進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試結(jié)果的規(guī)律應(yīng)該與已知的含量結(jié)果的規(guī)律有較好的一致性（即較好的線性關(guān)系）；則說明儀器具有較好的分辨能力。

l 是否擁有開放式工作曲線

應(yīng)特別注意XRF儀器的分析軟件是否具有開放的制作工作曲線的功能，此性能可以保證用戶后期使用的延展性,并可以充分驗(yàn)證XRF生產(chǎn)商是否具有足夠的技術(shù)支持能力

l 對(duì)儀器具體技術(shù)參數(shù)進(jìn)行比較時(shí)，還應(yīng)注意基體材料的影響因素

XRF應(yīng)用領(lǐng)域

陶瓷

l 陶瓷元素分析

l 玻璃元素分析

l 水泥元素分析

環(huán)境

l 土壤元素分析

l 廢水元素分析

l 燃燒灰分元素分析

食品

l 各種食物中異物分析

l 飼料中元素分析

l 食品容器中不純物分析

化學(xué)

l 橡膠中不純物分析-RoHS

l 塑料中金屬成分分析-RoHS

l 涂料元素分析

l 石油重油中不純物分析

l 電鍍液中主成分及不純物分析

l 金屬、非金屬

原料分析

l 合金、非金屬主成分及不純物分析

l 礦石元素分析

l 固體主成分及不純物分析

l 貴重金屬主成分及不純物分析

l 礦渣精煉分析

電子、電器產(chǎn)品

l 電子零件有害物質(zhì)分析-RoHS

l 多層鍍層鍍膜厚度及主成測(cè)定

l 各種電子零件鍍膜厚度及主成測(cè)定

其它

l 纖維中元素分析

l 考古學(xué)古物元素分析

l 寶石元素分析與鑒定

l 各種樣品元素快速鑒定

l 血液中重金屬快速分析


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  詞條說明

• ROHS檢測(cè)儀技術(shù)原理

  RoHS檢測(cè)儀目前市場(chǎng)上常見的類型是X射線熒光分析儀，又分為能量色散型和波長(zhǎng)色散型，能量色散型因其技術(shù)原理及結(jié)構(gòu)比波長(zhǎng)色散型簡(jiǎn)單，現(xiàn)市場(chǎng)上比較常見，其技術(shù)原理：特征X射線放射性同位素源或X射線發(fā)生器放出的X射線或Γ射線與樣品中元素的原子相互作用，逐出原子內(nèi)層電子。當(dāng)外層電子補(bǔ)充內(nèi)層電子時(shí)，會(huì)放射該原子所固有能量的X射線-特征X射線。元素含量與特征X射線強(qiáng)度的關(guān)系不同元素特征X射線能量各不相同，依此

• 【手持式光譜儀】火花直讀光譜儀和手持式光譜儀有哪些區(qū)別

  火花直讀光譜儀和手持式光譜儀有哪些區(qū)別手持式光譜儀工作原理：當(dāng)一束帶有足夠能量的X射線打在樣品表面原子殼內(nèi)層的電子上，這個(gè)X射線束是由手持式光譜儀內(nèi)的X射線管產(chǎn)生的，這個(gè)X射線束從手持式光譜儀前底端射出。X射線束打在樣品表面的原子殼上，電子被激發(fā)后從原子殼內(nèi)層軌道發(fā)生位移，這種位移的發(fā)生是由于從分析儀發(fā)出的X-射線束與在適當(dāng)?shù)能壍辣３蛛娮咏Y(jié)合能發(fā)出的能量差；當(dāng)X射線束的能量**電子結(jié)合能就會(huì)發(fā)生位

• 天瑞儀器如何

  江蘇天瑞儀器股份有限公司總部坐落于風(fēng)景秀麗的江蘇省昆山市*園西路1888號(hào)天瑞儀器產(chǎn)業(yè)園，是一家專業(yè)從事光譜、色譜、質(zhì)譜三大系列分析測(cè)試儀器研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的**化高科技企業(yè)。天瑞rohs檢測(cè)儀EDX1800E熒光光譜儀下照式：可滿足各種形狀樣品的測(cè)試需求準(zhǔn)直器和濾光片：多種準(zhǔn)直器和濾光片的電動(dòng)切換，滿足各種測(cè)試方式的應(yīng)用移動(dòng)平臺(tái)：精細(xì)的手動(dòng)移動(dòng)平臺(tái)，方便定位測(cè)試點(diǎn)高分辨率探測(cè)器：提高分析的準(zhǔn)確

• rohs2.0檢測(cè)儀器-原子熒光運(yùn)用需求留意的幾點(diǎn)

  rohs2.0檢測(cè)儀器-原子熒光運(yùn)用需求留意的幾點(diǎn)：1. 替換元素?zé)魰r(shí)必定要封閉主機(jī)電源。2. 必定要按次序開機(jī)：翻開電腦進(jìn)到WINDOWS桌面后，翻開儀器主機(jī)電源，然后進(jìn)軟件。3. 儀器運(yùn)轉(zhuǎn)過程中蘭交不要進(jìn)行其他電腦操作，特別占內(nèi)存比較大的程序。4. 儀器預(yù)熱可運(yùn)用TEST測(cè)驗(yàn)辦法，泵塊能夠不必壓，能夠不必進(jìn)溶液，讓儀器空運(yùn)轉(zhuǎn)。5. 丈量過程中留意調(diào)查排廢泵塊是否壓好，廢液是否順利排出。6. 泵