機械可靠性測試廠家淺談可靠性試驗特點

    可靠性篩選試驗的特點是:
    
      1、這種試驗不是抽樣的,而是**試驗;
      2、該試驗可以提高合格品的總的可靠性水平,但不能提高產(chǎn)品的固有可靠性,即不能提高每個產(chǎn)品的壽命;
      3、不能簡單地以篩選淘汰率的高低來評價篩選效果。淘汰率高,有可能是產(chǎn)品本身的設(shè)計、元件、工藝等方面存在嚴重缺陷,但也有可能是篩選應(yīng)力強度太高。
      淘汰率低,有可能產(chǎn)品缺陷少,但也可能是篩選應(yīng)力的強度和試驗時間不足造成的。通常以篩選淘汰率Q和篩選效果β值來評價篩選方法的優(yōu)劣:合理的篩選方法應(yīng)該是β值較大,而Q值適中。
      可靠性鑒定試驗分兩類:一類為產(chǎn)品可靠性鑒定試驗,一類為工藝(含材料)的可靠性鑒定試驗。
      產(chǎn)品可靠性鑒定試驗一般是在新產(chǎn)品設(shè)計定型和生產(chǎn)定型時進行。目的是考核產(chǎn)品的指標是否全面達到了設(shè)計要求,考核產(chǎn)品是否達到了預(yù)定的可靠性要求。試驗的內(nèi)容一般與質(zhì)量一致性檢驗一致,既A、B、c、D四組試驗都做,有抗輻射強度規(guī)定產(chǎn)品也做要E組試驗。當產(chǎn)品的設(shè)計、結(jié)構(gòu)、材料或工藝有重大改變時也要做可靠性鑒定試驗。
      工藝(含材料)的可靠性鑒定試驗用于考核生產(chǎn)線對材料和工藝的選擇及控制能力是否能保證所制造的產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,是否能滿足某種質(zhì)景保證等級的要求。
    
    其他常用的電子產(chǎn)品可靠性試驗介紹
    
      恒定加速度試驗
      該試驗?zāi)康氖强己税岭娐烦惺芎愣铀俣鹊哪芰?。它可以暴露由微電路結(jié)構(gòu)強度低和機械缺陷引起的失效。如芯片脫落、內(nèi)引線開路、管殼變形、漏氣等。
      試驗條件:在微電路芯片脫出方向、壓緊方向和與該方向垂直的方向施加大于1mm的恒定加速度,加速度取值范圍一般取為49000m/s:-1225000m/sV5000~125000z)之間。試驗時微電路的殼體應(yīng)剛性固定在恒定加速器上。
      機械沖擊試驗
      該試驗?zāi)康氖强己宋㈦娐烦惺軝C械沖擊的能力。即考核微電路承受突然受力的能力。在裝卸、運輸、現(xiàn)場工作過程中會使微電路突然受力。如跌落、碰撞時微電路會受到突發(fā)的機械應(yīng)力.這些應(yīng)力可能引起微電路的芯片脫落、內(nèi)引線開路、管殼變形、漏氣等失效。
      試驗條件:試驗時微電路的殼體應(yīng)剛性固定在試驗臺基上,外引線要施加保護。對微電路的芯片脫出方向、壓緊方向和與該方向垂直的方向各施加五次半正弦波的機械沖擊脈沖。沖擊脈沖的峰值加速度取值范圍—般取為4900m/s2~294000m/s2(500g~30000g)脈沖持續(xù)時間為0.1ms—1.0ms,允許失真不大于峰值加速度的20%。
      機械振動試驗
      振動試驗主要有四種,即掃頻振動試驗、振動疲勞試驗。振動噪聲試驗和隨機振動試驗。目的是考核微電路在不同振動條件下的結(jié)構(gòu)牢固性和電特性的穩(wěn)定性。
      掃頻振動試驗使微電路作等幅諧振動,其加速度峰值一般分為196m/s:(20e)、490m/s2(50g)和686m/s2(70g)三檔.振動頻率從20Hz一2000Hz范圍內(nèi)隨時間校對數(shù)變化。振動頻率從20Hz~2000Hz再回到20Hz的時間要求不小于4mm,并且在互相垂直的三個方向上(其中一個方向與芯片垂直)各進行五次。
      振動疲勞試驗也要使微電路作等幅諧振動,但是其振動頻率是固定的,一般為幾十到幾百赫茲,其加速度峰值一般也分為196m/s2(20g)、490m/s2(50g)和686m/s2(70g)三檔。在互相垂直的三個方向上(其中一個方向與芯片垂直)各進行一次,每次的時間大約為32h。
      隨機振動試驗的試驗條件是模擬各種現(xiàn)代化現(xiàn)場環(huán)境下可能產(chǎn)生的振動。隨機振動的振幅具有高斯分布。加速度譜密度與頻率的關(guān)系是特定的。頻率范圍為幾十到2000Hz。
      振動噪聲試驗的試驗條件與掃頗振動試驗基本相同。使微電路作等幅諧振動,其加速度峰值一般不小于196m/s2(20g).振動頻率從20Hs一2000Hz范圍內(nèi)隨時間按對數(shù)變化.振動頻率從20Hz一2000Hz再回到20Hz的時間要求不小于4min,并且在互相垂直的三個方向上(其中一個方向與芯片垂直)各進行1次。
      但是微電路要施加規(guī)定的電壓和電流。測量在試驗過程中在規(guī)定負載電阻上的較大噪聲輸出電壓是否**出了規(guī)定值。
      鍵合強度試驗
      該試驗?zāi)康氖菣z驗微電路封裝內(nèi)部的內(nèi)引線與芯片和內(nèi)引線與封裝體內(nèi)外引線端鍵合強度.分為破壞性鍵合強度試驗和非破壞性鍵合強度試驗.鍵合強度差的微電路會出現(xiàn)內(nèi)引線開路失效。
      試驗要求在鍵合線中部對鍵合線施加垂直微電路;芯片方向指向芯片反方向的力,施力要從零開始緩慢增加,避免沖擊力。若設(shè)定一個力,當施力增加到該力時停止餡力,且此力應(yīng)不大于較小鍵合力規(guī)定值的80%,則試驗稱為非破壞性鍵合強度試驗。
      若試驗時施力增加到鍵合斷裂時停止,稱破壞性健合強度試驗。健合強度試驗?zāi)康氖菍ξ㈦娐锋I合性能作批次性評價,所以要有足夠多的試驗樣品.非破壞性鍵合強度試驗有時作為篩選試驗項目。
      芯片附著強度試驗
      該試驗?zāi)康氖强己诵酒c管殼或基片結(jié)合的機械強度。芯片附著強度試驗有兩個,即芯片與基片/底座附著強度試驗和剪切力試驗.前者是考核芯片承受垂直芯片脫寓基片/底座方向受力的能力。后者是考核芯片承受平行芯片與基片/底座結(jié)合面方向受力的能力。
      試驗要求嚴格控制施加力的方向,且避免沖擊力。該試驗的判據(jù)力與芯片面積成正比,且與脫落后界面附著痕跡面積與芯片面積的比值有關(guān).附著痕跡面積小,意味著結(jié)合性能差,判據(jù)力要加嚴。
    
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