肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄 測(cè)試器件 MUR3040PT(ON) 測(cè)試項(xiàng)目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測(cè)試方法 1.測(cè)試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測(cè)試二極管的反向擊穿電壓。測(cè)試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線(xiàn)所示連接1,黑線(xiàn)連接二極管2,撥動(dòng)一下20KV穩(wěn)壓電源的測(cè)試按鈕,即可在顯示屏上顯示二極管的反向電壓。然后紅線(xiàn)連接二極管3腳,測(cè)試另一端的二極管的反向電壓。 1.測(cè)試二極管正向壓降 用二極管正向壓降測(cè)試儀DF-80A正向連接二極管,參照MUR3040PT芯片手冊(cè)的數(shù)據(jù),在正向平均電流15A情況下測(cè)試二極管正向?qū)ǖ墓軌航?。測(cè)試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線(xiàn)和黑線(xiàn)連接好二極管后,按下測(cè)試按鈕,即可在顯示器上顯示二極管導(dǎo)通的正向壓降。 反向擊穿電壓較大值VRWM為550V。 工作在15A下的較大壓降為1.187V,較小壓降為1.13V。 測(cè)試分析 測(cè)量數(shù)量為40個(gè)的二極管MUR3040PT,合格率為97.5%。在實(shí)際設(shè)計(jì)電路過(guò)程中,有本實(shí)驗(yàn)儀器測(cè)試出二極管的結(jié)果能減少設(shè)計(jì)過(guò)程中理論計(jì)算的誤差。
詞條
詞條說(shuō)明
電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品
電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品,分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測(cè)試階段。
長(zhǎng)春艾克思3相逆變電源UPS順利通過(guò)EMC認(rèn)證
長(zhǎng)春艾克思3相逆變電源UPS順利通過(guò)EMC認(rèn)證 近日,長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司研制的3相逆變電源UPS產(chǎn)品順利通過(guò)EMC測(cè)試,標(biāo)志著AIKS品牌逆變電源**了進(jìn)入國(guó)外市場(chǎng)的通行證,此項(xiàng)殊榮是一次一突破性的認(rèn)證。 ??眾所周知,由于逆變電源固有的特點(diǎn),自身產(chǎn)生的各種噪聲形成一個(gè)很強(qiáng)的電磁干擾源,所產(chǎn)生的干擾隨著輸出功率的增大而明顯地增強(qiáng),使整個(gè)電網(wǎng)的諧波污染狀況愈加嚴(yán)重。對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行構(gòu)成了
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿(mǎn)足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買(mǎi)的IRF4
毫歐電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 取樣電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 分流器的精確測(cè)試分析 ? 分流器是測(cè)量直流電流用的,根據(jù)直流電流通過(guò)阻值很小的電阻時(shí)在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實(shí)際應(yīng)用中,要測(cè)量一個(gè)很大的電流值,沒(méi)有大量程的電流表測(cè)量其電流,分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級(jí)直流電壓信號(hào),使并接在該分流器兩端的計(jì)量表顯示電壓值,分流器的電阻時(shí)定值,通過(guò)計(jì)算得到實(shí)際測(cè)量的
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