廢氣處理設(shè)備

    廢氣處理設(shè)備

    廢氣處理設(shè)備,主要是指運用不同工藝技術(shù),通過回收或去除、減少排放尾氣的有害成分,達(dá)到保護(hù)環(huán)境、凈化空氣的一種環(huán)保設(shè)備,讓我們的環(huán)境不受到污染。

    吸收設(shè)備

    吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑VOCs進(jìn)行吸收,再利用VOCs和吸收劑物理性質(zhì)的差異進(jìn)行分離。
    含VOCs的氣體自吸收塔底部進(jìn)入塔內(nèi),在上升過程中與來自塔**的吸收劑逆流接觸,凈化后的氣體由塔**排出。吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器后,進(jìn)入汽提塔**部,在溫度**吸收溫度或壓力**吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經(jīng)過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔,被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化,其他情況下需要作相應(yīng)的工藝調(diào)整。

    吸附設(shè)備

    在用多孔性固體物質(zhì)處理流體混合物時,流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上,此現(xiàn)象稱為吸附。吸附處理廢氣時,吸附的對象是氣態(tài)污染物,氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為吸附質(zhì),多孔固體物質(zhì)稱為吸附劑。
    固體表面吸附了吸附質(zhì)后,一部被吸附的吸附質(zhì)可從吸附劑表面脫離,此現(xiàn)附。而當(dāng)吸附進(jìn)行一段時間后,由于表面吸附質(zhì)的濃集,使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求,此時需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附,以協(xié)的吸附能力,這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附工程中,正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過程,達(dá)到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。

    凈化設(shè)備

    燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效,其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒,大多數(shù)生成二氧化碳水蒸氣,可以排放到大氣中。但當(dāng)處理含氯和含硫的**化合物時,燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2,需要對燃燒后氣體進(jìn)一步處理。

    治理設(shè)備

    等離子體就是處于電離狀態(tài)的氣體,其英文名稱是plasma,它是由美國科學(xué) muir,于1927年在研究低氣壓下汞蒸氣中放電現(xiàn)象時命名的。等離子體由大量的子、中性原子激發(fā)態(tài)原子、光子和自由基等組成,但電子和正離子的電荷數(shù)必須體表現(xiàn)出電中性,這就是“等離子體”的含義。等離子體具有導(dǎo)電和受電磁影響的許多方面與固體、液體和氣體不同,因此又有人把它稱為物質(zhì)的*四種狀態(tài)。根據(jù)狀態(tài)、溫度和離子密度,等離子體通??梢苑譃?/span>高溫等離子體和低溫等離子體(包子體和冷等離子體)。其中高溫等離子體的電離度接近1,各種粒子溫度幾乎相同系處于熱力學(xué)平衡狀態(tài),它主要應(yīng)用在受控?zé)岷朔磻?yīng)研究方面。而低溫等離子體則學(xué)非平衡狀態(tài),各種粒子溫度并不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti),可達(dá)104K以上,而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300~500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。
    截至2013年,對低溫等離子體的作用機(jī)理研究認(rèn)為是粒子非彈性碰撞的結(jié)果。低溫等離富含電子、離子、自由基和激發(fā)態(tài)分子,其中高能電子與氣體分子(原子)發(fā)生撞,將能量轉(zhuǎn)換基態(tài)分子(原子)的內(nèi)能,發(fā)生激發(fā)、離解和電離等一系列過秸處于活化狀態(tài)。一方面打開了氣體分子鍵,生成一些單分子和固體微粒;另一力生.OH、H2O2.等自由基和氧化性較強的O3,在這一過程中高能電子起決定性作用,離子的熱運動只有副作用。常壓下,氣體放電產(chǎn)生的高度非平衡等離子體中電子溫層氏度)遠(yuǎn)**氣體溫度(室溫100℃左右)。在非平衡等離子體中可能發(fā)生各種類型的化學(xué)反應(yīng),主要決定于電子的平均能量、電子密度、氣體溫度、有害氣體分子濃度和≥氣體成分。這為一些需要很大活化能的反應(yīng)如大氣中難降解污染物的去除提供了另外也可以對低濃度、高流速、大風(fēng)量的含揮發(fā)性**污染物和含硫類污染物等進(jìn)行處理。
    常見的產(chǎn)生等離子體的方法是氣體放電,所謂氣體放電是指通過某種機(jī)制使一電子從氣體原子或分子中電離出來,形成的氣體媒質(zhì)稱為電離氣體,如果電離氣由外電場產(chǎn)生并形成傳導(dǎo)電流,這種現(xiàn)象稱為氣體放電。根據(jù)放電產(chǎn)生的機(jī)理、氣體的壓j源性質(zhì)以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形式:①輝光放電;③介質(zhì)阻擋放電;④射頻放電;⑤微波放電。無論哪一種形式產(chǎn)生的等離子體,都需要高壓放電。容易打火產(chǎn)生危險。由于對諸如氣態(tài)污染物的治理,一般要求在常壓下進(jìn)行。
    5、光催化和生物凈化設(shè)備
    光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中**污染物完全氧化成無毒無害的產(chǎn)物,而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在較高的溫度下才可將污染物摧毀,即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要幾百度的高溫。
    從理論上講,只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能,就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴,該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物,如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應(yīng)有**優(yōu)點,具體研究中可根據(jù)需要選用,如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小,跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能,可以很好地利用自然光能,但它容易發(fā)生光腐蝕,使用壽命有限。相對而言,Ti02的綜合性能較好,是較廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。




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    詞條說明

  • 直接催化燃燒處理設(shè)備詳解

    直接催化燃燒處理設(shè)備詳解催化燃燒廢氣處理設(shè)備,直接催化燃燒處理設(shè)備詳解不管哪種廢氣要處理,首先要把廢氣收集起來。將廢氣收集到管道中。管道與催化燃燒裝置連接后,廢氣在末端離心風(fēng)機(jī)的作用下進(jìn)入裝置。設(shè)備內(nèi)設(shè)有換熱器,通過換熱器的作用對廢氣進(jìn)行加熱,加熱后的廢氣通過催化劑層燃燒,起到催化劑的作用,混合氣體中的碳?xì)浞肿雍脱醴肿臃謩e吸附在催化劑表面,通過催化劑床層活化。由于表面吸附降低了反應(yīng)的活化能,碳?xì)浠?/p>

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