電抗器在額定負(fù)載下長(zhǎng)期正常運(yùn)行的時(shí)間,就是電抗器的使用壽命。
電抗器使用壽命由制造它的材料所決定。
制造電抗器的材料有金屬材料和絕緣材料兩大類。
金屬材料耐高溫,而絕緣材料長(zhǎng)期在較高的溫度、電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用下,
會(huì)逐漸失去原有的力學(xué)性能和絕緣性能,例如變脆、機(jī)械強(qiáng)度減弱、電擊穿。
這個(gè)漸變的過(guò)程就是絕緣材料的老化。溫度愈高,絕緣材料的力學(xué)性能和絕緣性能減弱得越快;
絕緣材料含水分愈多,老化也愈快。
電抗器中的絕緣材料要承受電抗器運(yùn)行產(chǎn)生的負(fù)荷和周圍環(huán)境的作用,
這些負(fù)荷的總和、強(qiáng)度和作用時(shí)間決定絕緣材料的使用壽命。
詞條
詞條說(shuō)明
可控硅投切開(kāi)關(guān),什么是可控硅投切開(kāi)關(guān)
可控硅開(kāi)關(guān)可控硅又叫晶閘管,是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱,谷稱可控硅,它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。可控硅有多種分類方法。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和
? ? ? ?電抗器也叫電感器,一個(gè)導(dǎo)體通電時(shí)就會(huì)在其所占據(jù)的一定空間范圍產(chǎn)生磁場(chǎng),所以所有能載流的電導(dǎo)體都有一般意義上的感性。然而通電長(zhǎng)直導(dǎo)體的電感較小,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)不強(qiáng),因此實(shí)際的電抗器是導(dǎo)線繞成螺線管形式,稱空心電抗器;有時(shí)為了讓這只螺線管具有較大的電感,便在螺線管中插入鐵心,稱鐵心電抗器。電抗分為感抗和容抗,比較科學(xué)的歸類是感抗器(電感器)和容抗器(
復(fù)合開(kāi)關(guān)智能低壓復(fù)合開(kāi)關(guān)智能低壓復(fù)合開(kāi)關(guān)是一種智能化的環(huán)保節(jié)能型控制執(zhí)行部件。適用于對(duì)低壓無(wú)功補(bǔ)償電容器的通斷控制?;竟ぷ髟硎菍⒖煽毓枧c磁保持繼電器并接。使復(fù)合開(kāi)關(guān)在接通和斷開(kāi)的瞬間具有可控硅過(guò)零投切的優(yōu)點(diǎn),而在正常接通期間又具有接觸器無(wú)功耗的優(yōu)點(diǎn)。1.?智能低壓復(fù)合開(kāi)關(guān) 的基本工作原理是將可控硅與磁保持繼電器并接,實(shí)現(xiàn)電壓過(guò)零導(dǎo)通和電流過(guò)零切斷,使復(fù)合開(kāi)關(guān)在接通和斷開(kāi)的瞬間具有可控
無(wú)功補(bǔ)償控制器,低壓無(wú)功補(bǔ)償控制器怎么設(shè)置
1、設(shè)置目標(biāo)功率因數(shù)一般0.95左右。2、設(shè)置投入時(shí)限一般15S左右。3、設(shè)置互感器變比,這個(gè)要看你進(jìn)線柜互感器變比設(shè)置。4、設(shè)置過(guò)電壓值440V。5、設(shè)置單個(gè)電容器容量,(這個(gè)有的控制器沒(méi)有)有的話就按電容容量設(shè)置。無(wú)功功率補(bǔ)償裝置在電子供電系統(tǒng)中所承擔(dān)的作用是提高電網(wǎng)的功率因數(shù),降低供電變壓器及輸送線路的損耗,提高供電效率,改善供電環(huán)境。所以無(wú)功功率補(bǔ)償裝置在電力供電系統(tǒng)中處在一個(gè)不可缺少的非
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