4月18日,由西安交通大學(xué)倡導(dǎo),全國熔斷器標準化技術(shù)**秘書處主辦,西安中熔電氣承辦的**屆“熔斷器技術(shù)與應(yīng)用“論壇在西安圓滿舉辦。 作為國內(nèi)一個熔斷器領(lǐng)域的專業(yè)化論壇,本次論壇特邀請12位行業(yè)*及百名國內(nèi)外*企業(yè)代表、應(yīng)用客戶、大學(xué)、研究所齊聚一堂,圍繞熔斷器產(chǎn)品 技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用及標準化等議題在會議上作了主題報告。 首先,出席本次論壇的全國熔斷器標準化技術(shù)**主任委員季慧玉致開幕辭,并作了“熔斷器現(xiàn)狀與未來發(fā)展”的主題報告,主要結(jié)合多年的參與 熔斷器標委會標準編制及修訂經(jīng)驗,從國內(nèi)熔斷器標準角度,分析了目前熔斷器領(lǐng)域現(xiàn)行國家標準、行業(yè)標準情況及未來熔斷器的標準化發(fā)展規(guī)劃。 西安中熔電氣副總經(jīng)理石曉光作為承辦方代表,在論壇開幕式上致歡迎辭,并作了關(guān)于“新能源行業(yè)熔斷器應(yīng)用要求的一些變化”的主題報告,通 過對新能源行業(yè)發(fā)展的介紹,提出新能源車輛對熔斷器的應(yīng)用要求。 中國航天建筑設(shè)計研究院電氣總工程師卞鎧生作了關(guān)于“低壓熔斷器在電動機回路中的應(yīng)用”主題報告,通過講述電動機主回路概況、熔斷器與啟動器 協(xié)調(diào)配合要點,總結(jié)出熔斷器應(yīng)用于電動機回路上的優(yōu)勢。 上海電器陶瓷廠副總經(jīng)理王碧云作了關(guān)于“熔斷器在新領(lǐng)域中應(yīng)用的展望“為主題的報告,通過對熔斷器的市場需求進行了分析,提出了新能源技術(shù)對 產(chǎn)品的要求,并對未來熔斷器技術(shù)的展望。 北京建筑科技大學(xué)電氣工程及其自動化專業(yè)教授李英姿就“PV低壓熔斷器應(yīng)用中易忽視的問題"為報告主題,介紹了光伏熔斷器的標準及應(yīng)用,并對應(yīng) 用常見問題進行了總結(jié)分析。 中國汽車工程設(shè)計研究院副部長孫文華作了“關(guān)于熔斷器在汽車工廠低壓配電系統(tǒng)中的應(yīng)用”為主題的報告。指出汽車制造廠對供電系統(tǒng)的要求,介紹 了熔斷器在低壓配電系統(tǒng)主、分配電柜的應(yīng)用,提出了熔斷器應(yīng)用中需要關(guān)注的問題。 西安交通大學(xué)教授劉志遠就“熔斷器建模仿真技術(shù)研究”的技術(shù)研究成果進行分享,介紹利用數(shù)學(xué)模型與計算機軟件的相結(jié)合的方法,規(guī)避傳統(tǒng)熔斷 器設(shè)計周期長的缺點,縮短設(shè)計周期,為熔斷器的設(shè)計開發(fā)增添新思維、新理念。 本次論壇的成功舉辦,為推動行業(yè)發(fā)展起到了積極的作用。通過各位致力于中國熔斷器行業(yè)發(fā)展的**、*及業(yè)界代表在大會上就產(chǎn)品技術(shù)、應(yīng)用 解決方案、發(fā)展前景的共享及多方位交流,使熔斷器開發(fā)制造商、應(yīng)用客戶、研究所等深入了解熔斷器的一些新的產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用知識,為我們?nèi)蹟嗥餍? 業(yè)的發(fā)展指明了方向。 中熔電氣作為承辦方,12年致力于國內(nèi)熔斷器的中國制造,為國家戰(zhàn)略行業(yè)的發(fā)展貢獻自身的力量。中熔人希望借助此論壇為中國熔斷器行業(yè)播下希 望的種子,構(gòu)建熔斷器技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用解決方案的溝通交流平臺,肩負時代機遇賦予中熔的使命與責(zé)任,踐行做較專業(yè)、可靠的熔斷器,攜手國內(nèi)**,打 造屬于自己的國家品牌!
詞條
詞條說明
1,務(wù)必選用靠譜生產(chǎn)廠家生產(chǎn)制造的規(guī)范熔體,禁止用銅或鋁絲替代熔體應(yīng)用,較不容許用銅線將斷路器捆扎?。?2,高壓熔斷器的安裝品質(zhì)是不是考慮技術(shù)規(guī)范規(guī)定、熔管安裝視角是不是有25度上下往下傾角; 3,熔體融斷后應(yīng)拆換新的同規(guī)格型號熔體,不能將融斷后的熔體聯(lián)接起來又裝進熔管中再次應(yīng)用。 4,應(yīng)按時對高壓熔斷器開展巡查,晚間巡查可發(fā)覺有沒有放天藍色火花放電,若有放電狀況會伴隨嘶嘶的放電聲響造成。 5,應(yīng)
圖1:柵較驅(qū)動評估平臺包括主板、兩個插件柵較驅(qū)動器模塊,以及支持高達5千瓦輸出功率的散熱器和風(fēng)扇。 碳化硅MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻,可以在開關(guān)狀態(tài)之間快速地來回切換。因此,它們比絕緣柵雙較晶體管(IGBT)消耗的功率小得多,IGBT具有較慢的關(guān)斷速度和較高的關(guān)斷開關(guān)功率損耗。此外,碳化硅的寬帶隙使碳化硅器件能夠在高壓下工作。相反,硅基MOSFET不能同時實現(xiàn)高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻。因此,碳
2019"熔斷器技術(shù)與應(yīng)用”論壇圓滿舉辦
4月18日,由西安交通大學(xué)倡導(dǎo),全國熔斷器標準化技術(shù)**秘書處主辦,西安中熔電氣承辦的**屆“熔斷器技術(shù)與應(yīng)用“論壇在西安圓滿舉辦。 作為國內(nèi)一個熔斷器領(lǐng)域的專業(yè)化論壇,本次論壇特邀請12位行業(yè)*及百名國內(nèi)外*企業(yè)代表、應(yīng)用客戶、大學(xué)、研究所齊聚一堂,圍繞熔斷器產(chǎn)品 技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用及標準化等議題在會議上作了主題報告。 首先,出席本次論壇的全國熔斷器標準化技術(shù)**主任委員季慧玉致開幕辭,并
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