可編程晶振常見(jiàn)問(wèn)題以及使用思路

時(shí)間：2024-10-23作者：深圳揚(yáng)興科技有限公司瀏覽：51

可編程晶振。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是一種任意編程頻率的晶振，可以通過(guò)一個(gè)發(fā)生器放大或縮小，有選擇地實(shí)現(xiàn)各種總線頻率。在實(shí)際應(yīng)用或初步了解中，會(huì)遇到各種各樣的問(wèn)題。以下編輯列出了與SiTime可編程晶振相關(guān)的一些常見(jiàn)問(wèn)題和答案。




OE和ST功能有什么區(qū)別？

SiTime 晶振(引腳1)的大多數(shù)特征引腳可編程為“輸出使能”(OE)或“待機(jī)”(st)功能。在這兩種情況下，拉低引腳1都可以停止器件的輸出振蕩，但方式不同，如下所述。




對(duì)OE引腳施加邏輯低電平只會(huì)禁用輸出驅(qū)動(dòng)器并將其置于Hi-Z模式，但器件的其余部分仍在運(yùn)行。由于輸出無(wú)效，功耗降低。例如，對(duì)于3.3V  SiT8003 20MHz器件，在15pF負(fù)載下，IDD從4mA降至3.3mA。當(dāng)OE引腳被拉高時(shí)，輸出通常小于1us。




當(dāng)ST引腳被拉低時(shí)，帶ST引腳的器件進(jìn)入待機(jī)模式。器件內(nèi)部電路全部關(guān)斷，電流降至待機(jī)電流，一般在幾微安范圍。當(dāng)ST被拉高時(shí)，器件將執(zhí)行“恢復(fù)”過(guò)程，這可能需要3ms至10ms的待機(jī)電流，恢復(fù)時(shí)間在器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中有規(guī)定。有些SiTime數(shù)據(jù)表沒(méi)有規(guī)定恢復(fù)時(shí)間；在這種情況下，恢復(fù)時(shí)間與啟動(dòng)時(shí)間相同。




問(wèn)：我可以對(duì)SiTime器件進(jìn)行編程以驅(qū)動(dòng)大于15pF的負(fù)載嗎？

是的，具有單端LVCMOS輸出的SiTime器件通常定15pF容性負(fù)載的上升和下降時(shí)間。該器件可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)60pF的大負(fù)載，上升和下降時(shí)間較慢。對(duì)于需要快速上升和下降時(shí)間(1ns)并能驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載的應(yīng)用，可根據(jù)要求提供具有高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度輸出的緩沖器件。




問(wèn)：我可以調(diào)整SiTime 晶振輸出的上升和下降時(shí)間嗎？

是的，用戶(hù)可以通過(guò)改變驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度來(lái)調(diào)整SiTime振蕩器的輸出緩沖。通過(guò)增加或減少輸出級(jí)的較大驅(qū)動(dòng)電流，可以分別減少或增加上升和下降時(shí)間。高驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度可以驅(qū)動(dòng)較大的負(fù)載，同時(shí)實(shí)現(xiàn)較快的上升和下降時(shí)間。低驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度可以降低時(shí)鐘邊沿轉(zhuǎn)換速率和潛在的EMI。




可編程晶振怎么使用呢！一般使用的時(shí)候可以直接通過(guò)使用說(shuō)明進(jìn)行操作的。像這樣的精密的產(chǎn)品都是有使用說(shuō)明書(shū)的，只要咱們可以直接通過(guò)可編程晶振使用說(shuō)明進(jìn)行合理的操作就可以了。




當(dāng)然，目前對(duì)于可編程晶振使用方式，可以看使用說(shuō)明書(shū)，還可以看視頻教程，也可以直接詢(xún)問(wèn)可編程晶振客服，一般都是有的簡(jiǎn)單的指導(dǎo)服務(wù)的。只要企業(yè)操作人員學(xué)會(huì)操作以后就行了。





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