IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng)？

時(shí)間：2022-09-27作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：203

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵較通過(guò)一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：

在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；

在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；

盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵較驅(qū)動(dòng)電壓沒有**過(guò)柵較較大額定電壓，但柵較連線的寄生電感和柵較與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵較連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外，在柵較—**較間開路時(shí)，若在集電極與**較間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵較電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與**較間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵較回路不正?；驏泡^回路損壞時(shí)（柵較處于開路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵較與**較之間串接一只10KΩ左右的電阻。

在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。


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