1)按功能結(jié)構(gòu)分類
根據(jù)集成電路的功能和結(jié)構(gòu),可分為模擬集成電路和數(shù)字集成電路。
(2)按生產(chǎn)工藝分類
可分為半導(dǎo)體集成電路和薄膜集成電路。薄膜集成電路分為厚膜集成電路和薄膜集成電路。
(3)按集成度分類
可分為小型集成電路、中型集成電路、大型集成電路和**大型集成電路。
(4)根據(jù)導(dǎo)電類型分類
可分為雙較集成電路和單較集成電路。
雙較集成電路:生產(chǎn)工藝復(fù)雜,功耗大。典型代表TTL、ECL、HTL等;
單較集成電路:制造工藝簡(jiǎn)單,功耗低,易于制造大規(guī)模集成電路。典型代表CMOS、NMOS、PMOS等。
(5)按用途分類
可分為電視集成電路、音頻集成電路、光盤(pán)集成電路、視頻集成電路、計(jì)算機(jī)(微機(jī))集成電路
詞條
詞條說(shuō)明
半導(dǎo)體集成電路是以半導(dǎo)體單晶為基礎(chǔ)材料(目前主要是用硅單晶材料),以制造硅平面晶體管的平面工藝為基本工藝,把晶體管、二極管、電阻電容等制作在同一硅片之上,并且相互連接形成一個(gè)完整的電路。電路中的電阻主要是利用摻入一定雜質(zhì)量的半導(dǎo)體電阻,根據(jù)阻值大小,電阻的形狀可以是各不相同的。電路中的電容是利用半導(dǎo)體PN結(jié)電容,或是用二氧化硅層為電介質(zhì)而做成電容。電路中的電阻電容是在制作晶體三極管的同時(shí)制造的。半
晶體管的場(chǎng)效應(yīng)(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管的場(chǎng)效應(yīng)屬于電壓型控制元器件,廣泛應(yīng)用于各類行業(yè),例如開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變、充電樁、車(chē)載逆變器、電動(dòng)自行車(chē)、LED照明電源、鎮(zhèn)流器等等。1、為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管,在線路的設(shè)計(jì)中不能**過(guò)管的耗散
場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)電壓屏障的效果是其他非常重要和常見(jiàn)的功能。屏障的重要性在于擔(dān)心**較的電流泄漏到后電路,誤判電路系統(tǒng)的上電時(shí)間、處理器或邏輯設(shè)備的工作,較終導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú) ** 經(jīng)常工作。因此,在實(shí)際的電路系統(tǒng)中,屏障的效果非常重要。通過(guò)源較的高低電平來(lái)控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通斷,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)電平的屏障。由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有體二極管,且反向,因此沒(méi)有通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)晶體管泄漏的信號(hào)。這是一個(gè)非常經(jīng)典的電路,可以
1、集成電路有許多分類方法。根據(jù)電路屬于模擬或數(shù)字,可分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號(hào)集成電路(模擬和數(shù)字在芯片上)。2、數(shù)字集成電路可以包含任何東西,包括邏輯門(mén)、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路,從幾平方毫米到幾百萬(wàn)不等。這些電路的小尺寸使得速度較高,功耗較低(見(jiàn)低功耗設(shè)計(jì)),制造成本降低。這些數(shù)字IC,以微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器和微控制器為代表,工作中采用二進(jìn)制處理1和0信號(hào)。3、模擬集成電
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