全新FLASH 閃存 4M 25Q40 HK25Q40 HL25Q40 SOP8封裝 存儲(chǔ)器

時(shí)間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：98

HK25Q40 4 兆位串行閃存與4千字節(jié)統(tǒng)一閃區(qū)
特征
?單電源操作
-全電壓范圍：2.7-3.6伏
?串行接口架構(gòu)
-SPI兼容：模式0和模式3
?4 M位串行閃存
-4 M位/512 K字節(jié)/2048頁(yè)
-每個(gè)可編程頁(yè)256字節(jié)
?標(biāo)準(zhǔn)、雙SPI或四SPI
-標(biāo)準(zhǔn)SPI:CLK、CS、DI、DO、WP、HOLD
-雙SPI:CLK、CS、DQ0、DQ1、WP、HOLD
-四路SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3?高性能
-標(biāo)準(zhǔn)SPI的104MHz時(shí)鐘頻率
-兩個(gè)數(shù)據(jù)位的104MHz時(shí)鐘頻率
-四個(gè)數(shù)據(jù)位的104MHz時(shí)鐘頻率
?低功耗
-10mA典型有功電流
-1μA典型斷電電流
?統(tǒng)一的部門(mén)結(jié)構(gòu)：
-128個(gè)4-Kbyte扇區(qū)
-16塊32kbyte
-8塊64kbyte
-任何扇區(qū)或塊都可以單獨(dú)擦除
?軟件和硬件寫(xiě)保護(hù)：
通過(guò)寫(xiě)保護(hù)全部或部分內(nèi)存
軟件
-使用WP#引腳啟用/禁用保護(hù)
?高性能編程/擦除速度
-頁(yè)面程序時(shí)間：典型0.8毫秒
-扇區(qū)擦除時(shí)間：30毫秒典型值
-32KB的塊擦除時(shí)間通常為100ms
-64KB塊擦除時(shí)間200ms典型值
-芯片擦除時(shí)間：典型1.5秒
?可鎖定512字節(jié)OTP安全扇區(qū)
?支持可發(fā)現(xiàn)的串行閃存
參數(shù)（SFDP）簽名
?讀取一ID號(hào)
?較小100K耐久周期
?數(shù)據(jù)保留時(shí)間20年
?套餐選項(xiàng)
-8針SOP 150密耳車(chē)身寬度
-8針VSOP 150mil機(jī)身寬度
-8個(gè)2x3毫米的觸點(diǎn)
-8觸點(diǎn)VDFN 5x6毫米
-所有無(wú)鉛包裝均符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，
無(wú)鹵素，觸手可及。
?工業(yè)溫度范圍
HK25Q40是一個(gè)4兆位(512k字節(jié))的串行閃存，具有增強(qiáng)的寫(xiě)保護(hù)機(jī)制。HK25Q40支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)、高性能雙/四輸出以及雙/SPI輸出：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行DQ0(DI)、DQ1(DO)、DQ2（WP#）和DQ3（HOLD#）。當(dāng)使用雙/四I/O快速讀指令時(shí)，支持高達(dá)104MHz的SPI時(shí)鐘頻率，允許雙輸出208MHz(104MHzx2)，四輸出416MHz(104MHzx4)。可以使用頁(yè)面編程指令，一次將內(nèi)存編程為1到256字節(jié)。
HK25Q40設(shè)計(jì)允許單個(gè)區(qū)段/塊或全芯片清除操作。HK25Q40可以配置為作為軟件保護(hù)模式保護(hù)部分內(nèi)存。該設(shè)備可以在每個(gè)扇區(qū)或塊上維持至少100K的程序/擦除周期。


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• 詞條

  詞條說(shuō)明

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  描述FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行電氣可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器，通常稱(chēng)為EEPROM。它們被組織為512/1024/2048個(gè)單詞，每個(gè)單詞為8位（1字節(jié)）。該設(shè)備采用專(zhuān)有的**CMOS工藝制造，用于低功率和低壓應(yīng)用。這些設(shè)備可提供標(biāo)準(zhǔn)的8鉛DIP、8鉛SOP、8鉛TSSOP、8鉛DFN、8鉛MSOP和5鉛SOT-23/TSOT-23包裝。一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的雙

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