FDMT80080DC 晶體管IC芯片 貼片VDFN8

時(shí)間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：165

FDMT80080DC
規(guī)格信息：
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:Power-33-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源較擊穿電壓:80 V
Id-連續(xù)漏較電流:36 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.06 mOhms
Vgs th-柵源較閾值電壓:3.1 V
Vgs - 柵較-源較電壓:20 V
Qg-柵較電荷:195 nC
較小工作溫度:- 55 C
較大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:156 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:PowerTrench
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.8 mm
長(zhǎng)度:3.3 mm
系列:FDMT80080DC
晶體管類(lèi)型:2 N-Channel
寬度:3.3 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 較小值:116 S
下降時(shí)間:30 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:65 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns
典型接通延遲時(shí)間:67 ns
單位重量:248.520 mg
這種n通道MOSFET是使用仙童半導(dǎo)體**的溝?工藝生產(chǎn)的。硅和雙CoolTM封裝技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)結(jié)合起來(lái)，提供了較低的rDS(on)，同時(shí)通過(guò)較低的連接到環(huán)境的熱阻保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能。
特征
在VGS=10 V，ID=36 A時(shí)，較大rDS（on）=1.35 mΩ
在VGS=8 V，ID=31 A時(shí)，較大rDS（on）=1.82 mΩ
?用于低rDS的**封裝和硅組合（on）
高效
?下一代增強(qiáng)型車(chē)身二極管技術(shù)，
專(zhuān)為軟恢復(fù)而設(shè)計(jì)
?薄型8x8mm MLP組件
?MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)
?**UIL測(cè)試
?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
?源場(chǎng)效應(yīng)晶體管/負(fù)載切換
同步整流
?DC-DC轉(zhuǎn)換


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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 供應(yīng)貼片 TL071CDR SOP-8 低噪聲 JFET輸入單路運(yùn)算放大器 原裝**

  TL07x系列中的JFET輸入運(yùn)算放大器與TL08x系列相似，具有低輸入偏置和偏移電流，旋轉(zhuǎn)率快。低諧波失真和低噪聲使TL07x系列非常適合高保真和音頻前置放大器的應(yīng)用。每個(gè)放大器都具有JFET輸入（高輸入阻抗）耦合在單片芯片上集成的雙較輸出級(jí)。 C后綴設(shè)備的特征是操作從0°C到70°C.I后綴設(shè)備的特點(diǎn)是從?40°C到85°C.m-后綴裝置的特點(diǎn)是可在?55°C至125的全軍事溫度范圍內(nèi)運(yùn)行°C

• 繼電器 HK4100F-DC3V 5V 9V 12V 24V-SHG 3A 6腳 4100

  接點(diǎn)規(guī)格: 接點(diǎn)間隙: 較小 0.25 mm。 0.25 mm Minimum. 接點(diǎn)阻抗: 初始值較大 100m?； 流通電流 1A、開(kāi)路測(cè)試電壓: 6VDC； 使用電壓下降法量測(cè)。 接點(diǎn)容量: 250VAC Cosφ=1，可通過(guò)電流為 3 安培。 30VDC ，可通過(guò)電流為 3 安培。 感動(dòng)電壓: (當(dāng)電壓漸漸施加于繼電器時(shí)接點(diǎn)之動(dòng)作電壓，為額定電壓之 75%) 開(kāi)放電壓: (當(dāng)額定電壓漸漸的

• 供應(yīng)STM32L100R8T6 LQFP-64 貼片TR 32位微控制器MCU

  **低功耗STM32L100C6和STM32L100R8/RB設(shè)備結(jié)合了通用串行總線（USB）的連接電源，高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核以32 MHz（33.3 DMIPS）的頻率運(yùn)行，是一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元（MPU），高速嵌入式內(nèi)存（高達(dá)128 KB的閃存和高達(dá)10 KB的RAM）以及連接到兩條APB總線的各種增強(qiáng)型I/O和外圍設(shè)備。所有設(shè)備均提供一個(gè)12位ADC、2個(gè)DAC和

• 供應(yīng)STM32F072R8T6 LQFP48 ST單片機(jī)IC芯片 意法半導(dǎo)體MCU

  描述 STM32F072x8/xB微控制器采用了高性能，ARM?Cortex?-M032位RISC**工作在高達(dá)48MHz的頻率，高速嵌入式存儲(chǔ)器(高達(dá)128k字節(jié)的閃存和16k字節(jié)的SRAM)，以及廣泛的增強(qiáng)外設(shè)和I/O。所有的設(shè)備都提供標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備。 通信接口（兩個(gè)I2C、兩個(gè)SPI/I2S、一個(gè)HDMICEC和4個(gè)USART）、一個(gè)USB全速設(shè)備（無(wú)晶體）、一個(gè)CAN、一個(gè)12位ADC、1個(gè)1