全新原裝 2SK208-GR SOT-23 MOS場效應(yīng)管 貼片三極管

    2SK208
     通用用途和阻抗轉(zhuǎn)換器和冷凝器麥克風(fēng)的應(yīng)用
    ?高擊穿電壓:VGDS=?50伏
    ?高輸入阻抗:IGSS=?1.0 nA(較大值)(VGS=?30伏)
    ?低噪聲:NF=0.5dB(典型值)(RG=100K?, f=120赫茲)
    ?小包裝。
    **較大額定值(Ta=25°C)
    特性符號額定單元門-排水電壓VGDS?50V
    門電流IG10mA排水功率PD100mW
    連接溫度Tj125°C存儲溫度范圍Tstg?55~125°C
    在重負(fù)荷下連續(xù)使用。高溫、電流、電壓的應(yīng)用及溫度的顯著變化等)可能會導(dǎo)致該產(chǎn)品的可靠性顯著降低,即使是操作條件(即。工作溫度、電流、電壓等)在**的較大評級范圍內(nèi)。
    請在審查《東芝半導(dǎo)體可靠性手冊》(“處理注意措施”/“衍生概念和方法”)和個別可靠性數(shù)據(jù)時,設(shè)計適當(dāng)?shù)目煽啃???煽啃詼y試報告和估計的故障率等)。

    深圳市南北行電子發(fā)展有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類,變壓器類,連接器類,按鍵類,私人訂制BOM配單等

  • 詞條

    詞條說明

  • 供應(yīng) FS8205 GM8205 鋰電池保護IC 貼片TSSOP-8 全新原裝

    深圳市南北行電子發(fā)展有限公司 GM8205A 雙N通道高密度溝槽MOSFET(20V、6.0A) 產(chǎn)品摘要VDSSIDRDS(on)(m-歐姆)較大28@VGS=4.0V,ID=6.0A20V6.0A40@VGS=2.5V,ID=5.2A 特點**的溝工藝技術(shù)高密度電池設(shè)計**低電阻鉛免費產(chǎn)品獲得表面安裝包 **較大額定功率(TA=25oC,除非另有說明)符號參數(shù)額定功率單元VDS排水源電壓20VV

  • 全新原裝 AT91M55800A-33AU 封裝LQFP-176 微控制器芯片

    1.AT91M55800A是AtmelAT9116/32位微控制器系列的成員,該系列基于ARM7TDMI處理器**。該處理器具有高性能的32位RISC架構(gòu),具有高密度的16位指令集和非常低的功耗。此外,大量的內(nèi)部存儲寄存器會導(dǎo)致非??焖俚漠惓L幚?,使該設(shè)備成為實時控制應(yīng)用程序的理想選擇。 完全可編程的外部總線接口提供了以一個時鐘周期的速度直接連接到片外存儲器的讀或?qū)懖僮?。一個八級**級向量中斷控制

  • AOS/美國萬代 AO**482 AOS原裝優(yōu)勢 MOS管

    AO**482結(jié)合了**的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻包,以提供較低的RDS(ON)。該設(shè)備是理想的升壓轉(zhuǎn)換器和同步整流器為消費者、電信、工業(yè)電源和LED背燈。 A. 通過安裝在1英寸2FR-4板上,在TA=25的靜止空氣環(huán)境下測量RθJA的值°C.功耗P*基于RθJA,較大允許結(jié)溫度為150°C.任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定板設(shè)計,如果PCB允許,可使用較高溫度為175°C B.功耗P

  • ADM7160AUJZ-3.3-R7 ADM7160AUJZ-3.3-R2 TSOT5 全新原裝

    ADM7160是一種**低噪聲、低輟學(xué)線性調(diào)節(jié)器,工作范圍從2.2V到5.5V,提供高達200mA的輸出電流。在200mA負(fù)載下的低150mV輟學(xué)電壓提高了效率,并允許在較寬的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 使用一種創(chuàng)新的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),ADM7160實現(xiàn)了不需要旁路電容器的**低噪聲性能,使該設(shè)備成為噪聲敏感的模擬**和射頻應(yīng)用的理想選擇。ADM7160還在不影響PSRR或瞬態(tài)線和負(fù)載性能的情況下實現(xiàn)了**低噪聲

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