可控硅模塊的工作原理是什么

時(shí)間：2021-04-16作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：733

可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，

當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制較G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基較相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基較，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。

由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制較G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。

由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1

表1 可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件

狀態(tài) 條件 說明

從關(guān)斷到導(dǎo)通 1、陽極電位**是陰極電位

2、控制較有足夠的正向電壓和電流

兩者缺一不可

維持導(dǎo)通 1、陽極電位**陰極電位

2、陽極電流大于維持電流

兩者缺一不可

從導(dǎo)通到關(guān)斷 1、陽極電位**陰極電位

2、陽極電流小于維持電流

任一條件即可

2、基本伏安特性

1）反向特性

當(dāng)控制較開路，陽極加上反向電壓時(shí)，J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會發(fā)生*性反向擊穿。

（2）正向特性

當(dāng)控制較開路，陽極上加上正向電壓時(shí)），J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，圖3的特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓

由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時(shí)入N1區(qū)，空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性，見圖3的虛線AB段。

這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似，

3、觸發(fā)導(dǎo)通

在控制較G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。


上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說明

• 【可控硅模塊】可控硅模塊特點(diǎn)

  可控硅模塊特點(diǎn)1、整流結(jié)構(gòu)**采用**出口變壓器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大大提高了整流效率節(jié)約了能源并使整機(jī)體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動穩(wěn)壓/穩(wěn)流、自動電流密度、0-180秒任意調(diào)節(jié)軟啟動等良好控制功能，并可通過接口實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)控制，是目前**的可控硅控制系統(tǒng)。工作穩(wěn)定、抗干擾能力強(qiáng)、穩(wěn)流/穩(wěn)壓精度高、使用壽命長。3、工作

• 什么品牌的進(jìn)口晶閘管好

  進(jìn)口晶閘管很多大公司做的價(jià)格比較有優(yōu)勢。ABB可控硅，ABB晶閘管是ABB官方授權(quán)的正規(guī)代理商，可控硅都是ABB瑞士原裝進(jìn)口、質(zhì)量比較可靠，價(jià)格比較有優(yōu)勢，另外售前售后的技術(shù)支持比較周到。?進(jìn)口晶閘管主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX?，SAN

• 保險(xiǎn)絲與熔斷器的區(qū)別

  保險(xiǎn)絲是較簡單的保護(hù)裝置之一。在農(nóng)村，配電變壓器的高低壓側(cè)設(shè)置熔斷器作為短路保護(hù)，防止短路電流對變壓器的破壞。此外，各種動力照明裝置常采用熔斷器作為短路故障或連續(xù)過載保護(hù)裝置。當(dāng)電流**過較**，熔斷器借助熔體破壞電路。它是一種過負(fù)荷和短路保護(hù)的電器，較大的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕、使用維護(hù)方便、價(jià)格低廉、可靠性高，具有很大的實(shí)用**和經(jīng)濟(jì)意義。保險(xiǎn)絲是一種簡單有效的保護(hù)用具，在電路中主要起短

• 【德國西門康可控硅】可控硅結(jié)構(gòu)

  可控硅結(jié)構(gòu)大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對外有三個(gè)電極〔圖2(a）〕：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，*三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基