聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離子束束流1.5pA-65nA,15孔光闌。 二、配置情況 1、GIS氣體注入:Pt沉積 2、ETD SE、T1(筒內(nèi)低位)、T(高位)探頭 3、Nav-camTM:樣品室內(nèi)光學(xué)導(dǎo)航相機 4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自動拼圖、NanoBuilder納米加工軟件。 三、適用樣品 半導(dǎo)體、金屬、陶瓷材料微納加工及觀察分析,成分分析 四、檢測內(nèi)容 1、IC芯片電路修改 2、Cross-Section 截面分析 3、Probing Pad 4、FIB微納加工 5、材料鑒定 6、EDX成分分析 五、設(shè)備簡介 FEI Scios 2 DualBeam系統(tǒng)在Scios系統(tǒng)的基礎(chǔ)上進行了升級,較加適用于金屬、復(fù)合材料和涂層,特點是適用磁性樣品、借助漂移抑制對不導(dǎo)電的樣品可以進行操作、Trinity檢測套件可同步檢測材料、形態(tài)和邊緣對比對度,大大提高效率、軟件可以實現(xiàn)三維數(shù)據(jù)立方體分析金屬中夾雜物大小和分布、*有的工作流模式,可以設(shè)定程序,降低操作員的難度。在**大樣品倉中集成了大尺寸的五軸電動樣品臺,XY軸具有110mm移動范圍,Z方向具有85mm升降空間
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詞條說明
一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH,甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實只是一種技術(shù),是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是:給IC加上電壓,使其內(nèi)部有微小電流流過,同時在芯片表面用激光進行掃描。 激光掃描的同時,對微小電流進行監(jiān)測,當(dāng)激光掃到某個位置,電流發(fā)生較大變化,設(shè)備對這個點進行標(biāo)記,也就是說這個位置即為
半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗,為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含: 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測),屬于無損檢查: X-Ra
作為半導(dǎo)體人、電子元器件銷售或采購,你真的知道什么是芯片、半導(dǎo)體和集成電路嗎?知道它們之間的關(guān)系與區(qū)別嗎? 一、什么是芯片 芯片,又稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成電路(integrated circuit, IC),是指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計算機或其他電子設(shè)備的一部分。 芯片(chip)就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱,是 集成電路(IC, int
科委檢測中心招聘失效分析崗位:招聘失效分析工程師,招聘失效分析技術(shù)員,招聘失效分析銷售人員,軟件測試工程師 符合條件的北京解決戶口和事業(yè)編制 北京軟件產(chǎn)品質(zhì)量檢測檢驗中心(簡稱:北軟檢測)成立于2002 年7月,是經(jīng)北京市編辦批準(zhǔn),由北京市科學(xué)技術(shù)**和北京市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局聯(lián)合成立的事業(yè)單位。2004年1月,國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局批準(zhǔn)在北軟檢測基礎(chǔ)上籌*家應(yīng)用軟件產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心(簡稱:
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
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地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
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