FIB技術(shù)的在芯片設計及加工過程中的應用介紹: 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數(shù),縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cross-Section 截面分析 用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),**分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。 3.Probing Pad 在復雜IC線路中任意位置引出測試點, 以便進一步使用探針臺(Probe- station) 或 E-beam 直接觀測IC內(nèi)部信號。 4.FIB透射電鏡樣品制備 這一技術(shù)的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆?;虮砻娓男院蟮陌差w粒,對于纖維狀試樣,既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對含有界面的試樣或納米多層膜,該技術(shù)可以制備研究界面結(jié)構(gòu)的透射電鏡試樣。技術(shù)的另一重要特點是對原始組織損傷很小。 5.材料鑒定 材料中每一個晶向的排列方向不同,可以利用遂穿對比圖像進行晶界或晶粒大小分布的分析。另外,也可加裝EDS或SIMS進行元素組成分析。
詞條
詞條說明
1.OM 顯微鏡觀測,外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性
晶圓代工迎來新的黃金期 近期,以臺積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關(guān)注,原因在于它們2020年**季度的財報。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財報或財測不同,臺積電、聯(lián)電和中芯**這三大晶圓代工廠的業(yè)績十分亮眼,與當下疫情給半導體產(chǎn)業(yè)帶來的負面影響形成了鮮明的對比??磥恚A代工(Foundry)這種商業(yè)模式確有其過人之處。 2019年10月,DIGITIMES Research預估
一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡(發(fā)白)。 3、形狀多為條狀或塊狀。 4、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 5、從切片上看,圖電層會包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮;有時成鋸齒狀 2、通常
半導體技術(shù)公益課:有需要線上分享可以安排時間講您擅長的領(lǐng)域,半導體相關(guān)的都歡迎,話題 時長不限 名稱:半導體技術(shù)公益課講師征集 時間:每周五下午5-7點 時長:不限 方式:直播分享 演講者可以準備ppt,發(fā)來題目,框架,時長,個人簡介,協(xié)調(diào)好時間后即可安排。 想做線上分享的,可以聊您擅長的領(lǐng)域,半導體相關(guān)的都歡迎,話題,時長不限 IC失效分析實驗室 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實驗室于2015年底實施運營
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
手 機: 13488683602
電 話: 01082825511-869
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com