失效分析樣品準(zhǔn)備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下: 一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開封要求(若在pcb板上,較好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會影響對芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。 1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 2.樣品減?。ㄌ沾桑饘俪猓? 3.激光打標(biāo) 4.芯片開封(正面/背面) 5.IC蝕刻,塑封體去除 二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重點(diǎn)觀察區(qū)域,精度。 1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 3.觀測芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。 1.Open/Short Test 2.I/V Curve Analysis 3.Idd Measuring 4.Powered Leakage(漏電)Test 四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開封,特殊要求等,EMMI是加電測試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒有適合的源表,可以自帶,避免做無用功。 1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 Hot Carriers Effect、ESD等問題 五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的,標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。 1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.**切割 六、SEM:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。 1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4.納米尺寸量測及標(biāo)示 七、EDX:寫清樣品尺寸,材質(zhì),EDX是定性分析,能看到樣品的材質(zhì)和大概比例,適合金屬元素分析。 1.微區(qū)成分定性分析 八、Probe:寫清樣品測試環(huán)境要求,需要搭配什么源表,使用什么探針,一般有硬針和軟針,軟針較細(xì),不易對樣品造成二次損傷。 1.微小連接點(diǎn)信號引出 2.失效分析失效確認(rèn) 3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn) 4.晶圓可靠性驗(yàn)證 九、OM:寫清樣品情況,對放大倍率要求。OM屬于表面觀察,看不到內(nèi)部情況。 1.樣品外觀、形貌檢測 2.制備樣片的金相顯微分析 3.各種缺陷的查找 4.晶體管點(diǎn)焊、檢查 十、RIE:寫清樣品材質(zhì),需要看到的區(qū)域。 1.用于對使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢 2.器件表面圖形的刻蝕? 北京芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹 IC失效分析實(shí)驗(yàn)室 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實(shí)驗(yàn)室于2015年底實(shí)施運(yùn)營,能夠依據(jù)**、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測工作,開展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品,從物理到邏輯全面的檢測工作,提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測服務(wù),同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象,找出失效原因的失效分析檢測服務(wù),主要包括點(diǎn)針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測,缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析,為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。
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詞條說明
晶圓代工迎來新的黃金期 近期,以臺積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關(guān)注,原因在于它們2020年**季度的財報。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財報或財測不同,臺積電、聯(lián)電和中芯**這三大晶圓代工廠的業(yè)績十分亮眼,與當(dāng)下疫情給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的負(fù)面影響形成了鮮明的對比。看來,晶圓代工(Foundry)這種商業(yè)模式確有其過人之處。 2019年10月,DIGITIMES Research預(yù)估
FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件及電路結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜,這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能,使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計和制造領(lǐng)域。 基本原理: FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時具有聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(
微量元素含量測試方法 近年來,元素含量測試儀器發(fā)展十分*,常見的測試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個方面作簡要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
半導(dǎo)體技術(shù)公益課:有需要線上分享可以安排時間講您擅長的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話題 時長不限 名稱:半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時間:每周五下午5-7點(diǎn) 時長:不限 方式:直播分享 演講者可以準(zhǔn)備ppt,發(fā)來題目,框架,時長,個人簡介,協(xié)調(diào)好時間后即可安排。 想做線上分享的,可以聊您擅長的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都?xì)g迎,話題,時長不限 IC失效分析實(shí)驗(yàn)室 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實(shí)驗(yàn)室于2015年底實(shí)施運(yùn)營
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機(jī): 13488683602
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