Allen Bradley 1747-L30A

時間：2018-11-09作者：廈門仲鑫達(dá)科技有限公司瀏覽：34

 在這種配置中，電流檢測可能有很高的噪聲，原因是**部MOSFET的導(dǎo)通邊沿具有很強(qiáng)的開關(guān)電壓振蕩。為使這種影響較小，需要一個較長的電流比較器消隱時間（比較器忽略輸入的時間）。這會限制較小開關(guān)導(dǎo)通時間，并且可能限制較小占空比（占空比=VOUT/VIN）和較大轉(zhuǎn)換器降壓比。注意在**配置中，電流信號可能位于非常大的共模電壓(VIN)之上。

放置在降壓調(diào)節(jié)器低端

圖4中，檢測電阻位于底部MOSFET下方。在這種配置中，它檢測谷值模式電流。為了進(jìn)一步降低功率損耗并節(jié)省元件成本，底部FETRDS(ON)可用來檢測電流，而不必使用外部電流檢測電阻RSENSE。

圖4.帶低端RSENSE的降壓轉(zhuǎn)換器

這種配置通常用于谷值模式控制的電源。它對噪聲可能也很敏感，但在這種情況下，它在占空比較大時很敏感。谷值模式控制的降壓轉(zhuǎn)換器支持高降壓比，但由于其開關(guān)導(dǎo)通時間是固定/受控的，故較大占空比有限。

降壓調(diào)節(jié)器與電感串聯(lián)

圖5中，電流檢測電阻RSENSE與電感串聯(lián)，因此可以檢測連續(xù)電感電流，此電流可用于監(jiān)測平均電流以及峰值或谷值電流。所以，此配置支持峰值、谷值或平均電流模式控制。

圖5.RSENSE與電感串聯(lián)RELIANCE ELECTRIC 0-57435-L PROCESSOR MODULE J-3650-6, 57C435




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  詞條說明

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