上?？煽毓?晶閘管 二極管廠家

時(shí)間：2025-02-15作者：上海聚肯電子科技有限公司瀏覽：10

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 可控硅壞的原因

  1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。

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• 一篇文章帶你重新認(rèn)識(shí)可控硅

  ? ? ? 可控硅的PN結(jié)比三極管多了半個(gè)，它有兩個(gè)P型半導(dǎo)體和兩個(gè)N型半導(dǎo)體組成，我們把它看做是漢堡的話，底層的是N型半導(dǎo)體，上面的是P型半導(dǎo)體，再上面又是N型半導(dǎo)體，后一層也還是P型半導(dǎo)體，它總共有四層半導(dǎo)體，N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體交錯(cuò)互織在一起，而里面就夾雜著三個(gè)PN結(jié)，我們?cè)?二層的P型半導(dǎo)體中接出引線，就成了可控硅的控制較，在*四層接引線稱作陽(yáng)極，在下面的N