如何制作標(biāo)準(zhǔn)的ICT測試程序

    注意事項:

    一.  一般情況下不允許修改R 的標(biāo)準(zhǔn)值(電阻并聯(lián)電阻除外)

    二.  修改程式的上下范圍必須按以下的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行 .

    ü  跳線﹑ Connecter ﹑Fuse﹑電感﹑排感 ﹕

    以J測試﹐ Exp-V用1表示﹐+-10% ﹐MODE為 0 ﹐無Guarding , 無 Offset 。

    跳線﹕ 當(dāng)Pin-Pin間有跳帽時﹐Exp-V用1表示﹐否則Pin-Pin間測試Exp-V采用4表示。

    開關(guān)探針﹕ 以J測試﹐ Exp-V用1表示+-10% ﹐MODE為 0

    ü  電阻﹑排阻 ﹕

    1﹑0 Ω ﹕按3 Ω 為標(biāo)準(zhǔn)﹐+10%﹐-1%﹔或按J測試﹐MODE為1﹐無Offset﹐+-10%

    2﹑2.2 Ω :  +60%﹐-30%﹐一般不采用MODE 3﹐無Guarding

    3﹑4.7 Ω :  +40%﹐-20%﹐ 一般不采用MODE 3 ,  無Guarding

    4﹑10.0 Ω ﹕ +15%﹐ -10%﹐一般不采用MODE 3﹐可根據(jù)各機(jī)臺稍加Offset

    5﹑10. 0Ω 以上﹕ +-10%﹐一般不采用MODE 3 ﹐不加 Offset

    6﹑熱敏電阻﹕可適當(dāng)放寬范圍 , 一般不采用MODE 3﹔

    7﹑電阻并聯(lián)﹐可按并聯(lián)值(R 1 *R 2 )/(R 1 +R 2 )作標(biāo)準(zhǔn)值﹔+-10%  一般不采用MODE 3

    8﹑NC元件﹕一般50KΩ為標(biāo)準(zhǔn)值﹐+Lim:-1% ﹐-Lim﹕10% ﹐有并聯(lián)除外

    9﹑并聯(lián) IC 時﹐100K以上電阻+Lim﹕+10%﹔-Lim﹕可稍放寬

    10﹑ No Pin的電阻可適當(dāng)考慮用串聯(lián)的方式進(jìn)行測試﹐ 小電阻并聯(lián)大電阻相差20倍時﹐大電阻不予測試﹔

    11﹑蜂鳴器﹕做電阻測試﹐Exp-V采用44ohm (據(jù)實際情況) ﹐+-10%﹐無 Guarding ﹐ 一般不采用MODE 3

    12﹑FET管作電阻測試﹕Mode 一定 為5﹐+20%﹐ -10% ﹔也可直接選用Type:QF,Mode:22或23

    13﹑對測試極不穩(wěn)定的電阻﹐可按PCA上實際電阻量測值作為Exp-V或根據(jù)線路圖分析﹔

    14﹑BOM-V一律根據(jù)BOM進(jìn)行填寫。

    15﹑可調(diào)電阻﹐以較大值測試﹐+-10% ;或取中間值測試,+ -50%。

     ü  電容、排容﹕

    1.  10PF或10PF以下電容﹐測試會極不穩(wěn)定﹐Exp-V可加大到30PF或50PF﹐+50%,-40%,也可依實際情況定Exp-V﹐offset定好后不允許隨意更改﹔ 具體依DEBUG原則﹔

    2.  10PF以上﹐1nF以下﹐+45%,-35%, offset定好后不允許隨意更改﹔Mode參見Debug原則﹔

    3.  Exp-V ﹕1nF~99nF﹐+45%,-35%, Mode參見Debug原則﹔

    4.  Exp-V ﹕100nF﹕+70%,-30%﹐ 無Offset , Mode參見Debug原則﹔

    5.  Exp-V ﹕1uF﹕+40%,-30%﹐ 無Offset , Mode參見Debug原則﹔

    6.  Exp-V ﹕10uF以上﹐470uF以下﹐+-30%﹐Mode參見Debug原則﹔

    7.  Exp-V﹕470uF以上﹐+-20%﹐

    8.  并聯(lián)電容Exp-V= C 1 +C 2  + …… + C n ﹐ 

    9.  NC元件﹕可以不進(jìn)行測試﹔

    10.  FET管作電容測試﹕Exp-V約2~10nF﹐+20%﹐-15%﹐Exp-V定下后不能隨意更改﹔

    11.  BOM-V一律根據(jù)BOM進(jìn)行填寫﹔NC元件BOM-V為0u﹔

    12.  小電容并大電容﹐相差20倍以上﹐小電容可以不予測試 (C 1 /(C 1 +C 2 +…C n ))<=5%) 。

    13.  微法級電容的電容值小於 1000uF , Mode4  的測試會比 Mode8 來得好且速度也較快;

    14.  較大微法級電容值測試不穩(wěn)時﹐可以加放電﹔

    15.  當(dāng)規(guī)定的Limit 與 BOM上規(guī)定的 小時 ﹐一律依據(jù)BOM作為標(biāo)準(zhǔn)。

    16.  電容極性測試:必加三端測試針,MODE8、18。EXP-V:0.2V,G 以*三腳為G。

    17.  實際值以 5V ~ 10V 量測時,標(biāo)準(zhǔn)值之漏電流值約 0.2mA ~ 0.5mA ,若反插時 , 其反向漏電流值會遠(yuǎn)大於正向漏電流值。高點之腳號即是電容+端之測試針號碼 , 而低點之腳號即是電容-端之測試針號碼,通常須加較大的延遲時間,漏電流才會穩(wěn)定。

    ü  電感﹕ 除了作J測試外﹐電感主要以L測試﹐+-30%

    ü  二極體﹕

    1.  發(fā)光二極管用D作Type﹐Mode 用1或 24﹐當(dāng)用24Mode時﹐Exp-V為1. 5V 不允許交換高低點﹐ 偏差 +-30% (把管子點亮)

    2.  每個二極管分作兩步測試﹕高﹑低點互調(diào)測試﹐不允許交換高低點和修改Exp-V, 范圍依(1)規(guī)定。

    ü  三極管﹕

    1.  以 Q 測試﹕+-30% ﹐ 具體參考 Debug原則 ﹐ 不允許交換高低點

    2.  以QH為Type的三端測試﹐+-30%﹐ 具體參考 Debug原則﹐ 不允許交換高低點

    3.  以上3種方法測試必須同時使用﹔選用Mode時必須參考其實際為PNP還是NPN

    4.  NC時﹐采用Type:QN測試﹐ BOM-V﹕0.7V﹐ Exp-V為0.7V左右﹐+-30 %

    ü  FET管﹕

    1.  以QF為Type﹐量測漏電流 Ids ﹐ Bom-V依線路圖提供的電壓供給﹐ +-30%﹐不允許交換高低點﹐其Guarding Pin為G。

    2.  以QF為Type﹐量測漏電流 Vds ﹐ Bom-V依線路圖提供的電壓供給﹐+30%﹐-1%﹐Exp-V:0.2V, 不允許交換高低點 ﹐ 其Guarding Pin為G 。

    3.  還 必須同時采用電阻 或 電容測試﹔不允許交換高低點

    ü  Clamping Diode

    1.  對GND量測﹐+-30%﹐Mode 為2﹐ Guarding  Pin 以它本身學(xué)到的為準(zhǔn)﹐ 不允許交換高低點﹔

    2.  對VCC量測﹐+-30%﹐Mode 為2﹐ Guarding  Pin 以它本身學(xué)到的為準(zhǔn)﹐ 不允許交換高低點﹔

    3.  測試不穩(wěn)定時﹐可加放電或4ms以內(nèi)的延遲或重測。

    4.  當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)樣板測試值小于0.1V時﹐可以0.1V為Exp-V﹐+30%,-1%﹔

    5.  對于較脆弱的Clamping Diode,可根據(jù)實際情況決定其是否測試

    6.  如有幾種料導(dǎo)致無法測試時﹐可舍測其中一種。

    ü  IC Open﹕ 學(xué)習(xí)好的IC OPEN接受值﹐其Limit為+80%﹐-40%﹐之中不能加放電﹐單片測試值如與整體統(tǒng)計值偏差較大時﹐應(yīng)找其他原因﹐不能改動設(shè)定值。

    ü  其他﹕ A: 78L05做三極管測試 1#﹔B:加測 網(wǎng)卡12﹑13腳對地阻抗﹔C﹕加測PWM測試阻抗﹔

    ü  NOTES﹕電阻﹑Connector上的排針﹑感﹑二極管可電測率應(yīng)盡量保持在**。 


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