東科亞洲充電展，進行合封氮化鎵芯片和相關(guān)技術(shù)分享

時間：2023-06-01作者：東科半導(dǎo)體科技（深圳）有限公司瀏覽：63

從**款氮化鎵快充電源量產(chǎn)到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場，短短三年時間，整個氮化鎵快充電源市場的容量翻了百倍，昔日只有個別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術(shù)，如今便已成為了*手機、筆電品牌的主流產(chǎn)品，不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。目前已有多家廠商推出數(shù)十款合封氮化鎵芯片，亞洲充電展上，東科將分享并展示較新推出的合封氮化鎵芯片和相關(guān)技術(shù)分享。


 DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片。DK025G檢測功率管漏較和源較之間的電壓VDS,當(dāng)VDS達到其較低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾(EMI)。芯片較高支持250KHz開關(guān)頻率，芯片內(nèi)部集成氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動器、高壓啟動電路和保護單元。

 DK025G采用ESOP8封裝，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。這款芯片廣泛應(yīng)用于高功率密度快速充電器，筆記本電腦，平板電腦和機頂盒等產(chǎn)品的適配器。

  DK025G較大的簡化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK025G具備完善的保護功能：輸出過壓保護(OVP)，VCC過欠壓保護，過溫保護(OTP)，開環(huán)保護，輸出過流保護(OCP)等。



東科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片，芯片內(nèi)部集成650V 400mΩ氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動器、高壓啟動電路和保護單元。芯片通過內(nèi)部快速頻率折返功能來調(diào)制較小峰值電流，達到快速降低開關(guān)頻率的目的，從而有效降低系統(tǒng)在輕載下的損耗，提升系統(tǒng)的效率。芯片采用130KHz PWM開關(guān)頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積，得到性能和成本的平衡。DK036G內(nèi)置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護功能，采用ESOP-8封裝形式，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。可以廣泛應(yīng)用于PD快充和電源適配器。

 東科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片，支持45W及以下功率應(yīng)用。DK045G 檢測功率管漏較和源較之間的電壓（VDS），當(dāng) VDS達到其較低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK045G采用PDF***6封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

  DK045G 較大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK045G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫護（OTP）， 開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。



 東科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片，支持65W及以下功率應(yīng)用。DK065G 檢測功率管漏較和源較之間的電壓（VDS），當(dāng) VDS達到其較低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK065G采用PDFN8*8封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

  DK065G較大的簡化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密 度的產(chǎn)品。DK065G具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP）， 開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。



東科半導(dǎo)體科技（深圳）有限公司專注于氮化鎵電源芯片,同步整流芯片,觸摸控制類芯片等, 歡迎致電 15112586834

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