國(guó)芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC52N04ADE用于UPS電源BUCK電路，導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ

時(shí)間：2022-12-07

作者：國(guó)芯思辰（深圳）科技有限公司

詞條
詞條說(shuō)明
國(guó)芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制，滿足項(xiàng)目性能需求
YC40N04BDE是優(yōu)晶的N溝道MOSFET，該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。某工程師在PCR項(xiàng)目TEC控制部分需要用到4個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)控制TEC，該工程師想要了解一些國(guó)產(chǎn)廠牌的MOS，因此國(guó)芯思辰給其介紹了優(yōu)晶的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管YC40N04BDE。YC40N04BDE具有以下特點(diǎn)：1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù)，VD
國(guó)芯思辰｜拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C用于伺服系統(tǒng)中存儲(chǔ)MCU數(shù)據(jù)，腳位兼容富士通MB85RS128B
目前在伺服系統(tǒng)的控制端，其組成包括了晶振、FPGA、EEPROM、MCU組成，MCU通過(guò)輸出PWM信號(hào)給IPM模塊來(lái)進(jìn)行對(duì)伺服電機(jī)的控制，伺服電機(jī)的狀態(tài)通過(guò)位置環(huán)、電流環(huán)、速度環(huán)三環(huán)反饋給FPGA中進(jìn)行數(shù)據(jù)分析處理，F(xiàn)PGA將數(shù)據(jù)分析處理完后將信息傳輸給MCU，MCU接收到FPGA中的信息后對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理來(lái)輸出相應(yīng)的PWM信號(hào)給到IPM模塊進(jìn)而調(diào)節(jié)電機(jī)。在上述這個(gè)過(guò)程中MCU往往需要處理大量的數(shù)據(jù)
國(guó)芯思辰｜拍字節(jié)低功耗FRAM PB85RS128C助力血糖儀設(shè)計(jì)，供電電壓2.7V~3.6V
血糖儀是一種通過(guò)運(yùn)算放大器將血糖試紙產(chǎn)生的微電流采集放大后給MCU轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，經(jīng)過(guò)儀器分析后，**血糖水平，并顯示或者將數(shù)據(jù)傳輸?shù)胶笈_(tái)或云端的設(shè)備，其中，F(xiàn)RAM用來(lái)保存病人的血糖歷史測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分析、跟蹤等。某工程師需要一個(gè)128K、低功耗的FRAM，本文主要提到的是拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS128B的電氣參數(shù)、性能參數(shù)、環(huán)境參數(shù)基
國(guó)芯思辰｜座椅控制器可選用國(guó)產(chǎn)新型鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128，性能兼容富士通MB85RS128B
隨著國(guó)產(chǎn)芯片的崛起，國(guó)內(nèi)終端工廠對(duì)于國(guó)產(chǎn)化的需求也在不斷增加。國(guó)芯思辰接觸的一個(gè)工程師在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個(gè)小的存儲(chǔ)器件用來(lái)存儲(chǔ)少量的數(shù)據(jù)。此前該項(xiàng)目使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國(guó)產(chǎn)器件用作國(guó)產(chǎn)化備選方案，規(guī)格需求如下：容量128Kb、工作溫度-40℃~85℃、封裝較好是SOP8。國(guó)芯思辰為其介紹了國(guó)產(chǎn)拍字節(jié)的新型鐵電存