原裝** MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC

時間：2021-11-29

描述
      DDR4sdram是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預取架構(gòu)來實現(xiàn)高速操作。8n-預取體系結(jié)構(gòu)與一個接口相結(jié)合，該接口被設計用于在輸入/輸出引針的每個時鐘周期上傳輸兩個數(shù)據(jù)字。

     針對DDR4sdram的單個READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM**的單個8n位寬、四時鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的兩個相應的n位寬、半時鐘周期數(shù)據(jù)傳輸。

工業(yè)溫度
   
    工業(yè)溫度(IT)設備選項要求外殼溫度不**-40°C或**95°C。JEDEC規(guī)格要求，當TC**過85°C時，刷新率將翻倍；這還需要使用高溫自刷新選項。此外，當TC在-40°C和0°C之間時，在商業(yè)溫度范圍之外工作時，ODT電阻和輸入/輸出阻抗必須減小。

特征

?VDD=VDDQ=1.2V±60mV

?VPP=2.5V，–125mV/+250mV

?模上、內(nèi)部、可調(diào)VREFDQ生成

?1.2V偽明渠輸入/輸出

?較高溫度可達95°C

–64ms，8192次循環(huán)刷新至85°C

–32毫秒，8192次循環(huán)刷新，溫度>85°C至95°C

?16個內(nèi)部銀行（x4、x8）：4組，每組4個銀行

?8個內(nèi)部銀行（x16）：2組，每組4個銀行

?8n位預取體系結(jié)構(gòu)

?可編程數(shù)據(jù)選通前置碼

?數(shù)據(jù)選通前導碼培訓

?命令/地址延遲（CAL）

?多用途寄存器讀寫能力

?讀寫平衡

?自刷新模式

?低功耗自動自刷新（LPASR）

?溫度控制刷新（TCR）

?細粒度刷新

?自刷新中止

?較大節(jié)電

?輸出驅(qū)動器校準

?標稱端接、駐車端接和動態(tài)端接

（ODT）

?數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)（DBI）

?命令/地址（CA）奇偶校驗

?數(shù)據(jù)總線寫入循環(huán)冗余校驗（CRC）

?每DRAM尋址能力

?連接測試（x16）

?sPPR和hPPR能力

?符合JEDEC JESD-79-4標準

選項1標記

?配置

–1千兆x 4 1G4

–512兆歐x 8 512M8

-256兆歐x16256m162

?FBGA封裝（無鉛）–x4、x8

–78個球（9毫米x 11.5毫米）–修訂版。A HX

–78個球（9毫米x 10.5毫米）–修訂版。B右

?FBGA封裝（無鉛）–x16

–96個球（9mm x 14mm）–修訂版。哈哈

–96個球（9mm x 14mm）–修訂版。博格

?定時–循環(huán)時間

-0.625ns@CL=22（DDR4-3200）-062E

-0.682ns@CL=20（DDR4-2933）-068E

-0.682ns@CL=21（DDR4-2933）-068

-0.750ns@CL=18（DDR4-2666）-075E

-0.750ns@CL=19（DDR4-2666）-075

-0.833ns@CL=16（DDR4-2400）-083E

-0.833ns@CL=17（DDR4-2400）-083

-0.937ns@CL=15（DDR4-2133）-093E

-0.937ns@CL=16（DDR4-2133）-093

-1.071ns@CL=13（DDR4-1866）-107E

?工作溫度

–商用（0°? 總費用? 95°C）無

–工業(yè)（–40°? 總費用? 95°C）它

詞條
詞條說明
全新原裝 AT91M55800A-33AU 封裝LQFP-176 微控制器芯片
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TLC2252和TLC2254是來自德州儀器公司的雙重和四重操作放大器。這兩種設備在單電源或分電源應用中都表現(xiàn)出增加動態(tài)范圍的鐵路輸出性能。TLC225x系列每個通道只消耗35μA的電源電流。這種微功率操作使它們成為電池供電應用的良好選擇。與前幾代CMOS放大器相比，噪聲性能得到了顯著的提高。請參看圖1，TLC225x在1kHz時的噪聲水平為19nV/√Hz；比競爭激烈的微功率解決方案低4倍。 T
供應全新原裝DSP2a-DC24V,DSP2a-DC12V,DSP1a-DC12V繼電器
功能1。即使采用小型10mm.394英寸(H)x11mm.433英寸(W)x20mm.787英寸(L)（尺寸、大容量開關(guān)：1a、8A250VAC；2a和1a1b、5A250VAC。 2.高開關(guān)能力高接觸壓力、低接觸彈跳和擦擦操作提高了焊縫的阻力。耐燈具負荷和介電負載：1a較大開關(guān)容量為2000VA（8A250VAC） 3.使用與DS繼電器相同類型的高性能極性磁性電路，通過將彈簧負載與吸引的磁力相匹
AP3407KTR-G1 DC-DC降壓芯片絲印GJA SOT23-5
一般說明 AP3407/A是一個1.4MHz的固定頻率、電流模式、PWM同步降壓（降壓）直流-直流轉(zhuǎn)換器，能夠驅(qū)動1.2A的負載，高效、線路優(yōu)良和負載調(diào)節(jié)。該設備集成了同步p通道和n通道MOSFET電源開關(guān)與低電阻。它是理想的供電，從單一的鋰離子電池的便攜式設備。一個標準系列的電感器可從幾個不同的制造商優(yōu)化使用的AP3407/A。這一特性大大簡化了開關(guān)模式電源的設計。 AP3407/A有SOT