供應(yīng)TMS320VC5416PGE160 數(shù)字信號處理器VC5409APGE DSP芯片 原裝現(xiàn)貨

時間：2021-10-25作者：深圳市云創(chuàng)達(dá)科技有限公司瀏覽：308

        TMS320VC5416**數(shù)字信號處理器(DSP)（除非另有說明，以下簡稱設(shè)備）基于**改進(jìn)的哈佛架構(gòu)，該架構(gòu)有一個程序存儲器總線和三個數(shù)據(jù)存儲器總線。該處理器提供了一個具有高度并行性的算術(shù)邏輯單元(ALU)、特定于應(yīng)用程序的硬件邏輯、片上存儲器和附加的ALU外設(shè)。該DSP的操作靈活性和速度的基礎(chǔ)是一個高度專業(yè)化的指令集。
        單獨的程序和數(shù)據(jù)空間允許同時訪問程序指令和數(shù)據(jù)，提供了高度的并行性。兩個讀取可以在一個周期內(nèi)執(zhí)行一個操作和一個寫操作。帶有并行存儲的指令和特定于應(yīng)用程序的指令可以充分利用該體系結(jié)構(gòu)。此外，數(shù)據(jù)可以在數(shù)據(jù)和程序空間之間傳輸。這種并行性支持一組強(qiáng)大的算術(shù)、邏輯和位操作，這些操作都可以在單個機(jī)器周期中執(zhí)行。該設(shè)備還包括管理中斷、重復(fù)操作和功能調(diào)用的控制機(jī)制。
       
特征

?具有三條獨立的16位數(shù)據(jù)內(nèi)存總線和一條程序內(nèi)存總線的**多總線體系結(jié)構(gòu)

?40位算術(shù)邏輯單元（ALU），包括一個40位桶形移位器和兩個獨立的40位累加器

?耦合到40位**加法器的17-×17位并行乘法器，用于非流水線單周期乘法/累加（MAC）操作

?比較、選擇和存儲裝置（CSSU），用于Viterbi操作員的添加/比較選擇

?指數(shù)編碼器，用于在單個周期內(nèi)計算40位累加器值的指數(shù)值

?兩個地址生成器，帶有八個輔助寄存器和兩個輔助寄存器算術(shù)單元（ARAU）

?具有總線支架功能的數(shù)據(jù)總線

?8M×16位較大可尋址外部編程空間的擴(kuò)展尋址模式

?128K×16位片上RAM，包括：

–8塊8K×16位片上雙訪問程序/數(shù)據(jù)RAM

–8塊8K×16位片上單訪問程序RAM

?為程序存儲器配置的16K×16位片上ROM

?增強(qiáng)型外部并行接口（XIO2）

?程序代碼的單指令重復(fù)和塊重復(fù)操作

?塊內(nèi)存移動指令，用于較好的程序和數(shù)據(jù)管理

?具有32位長字操作數(shù)的指令

?具有兩個或三個操作數(shù)讀取的指令

?具有并行存儲和并行加載的算術(shù)指令

?條件存儲指令

?從中斷中快速返回

?片上外圍設(shè)備

–軟件可編程等待狀態(tài)發(fā)生器和可編程電池組切換

–帶外部時鐘源的片上可編程鎖相環(huán)（PLL）時鐘發(fā)生器

–一個16位計時器

–六通道直接存儲器訪問（DMA）控制器

–三個多通道緩沖串行端口（MCBSP）

–8/16位增強(qiáng)型并行主機(jī)端口接口（HPI8/16）

?具有IDLE1、IDLE2和IDLE3指令以及斷電模式的功耗控制

?CLKOUT關(guān)閉控制以禁用CLKOUT

?基于片內(nèi)掃描的仿真邏輯，IEEEStd 1149.1（JTAG）邊界掃描邏輯（1）

?144針球柵格陣列（BGA）（GGU后綴）

?144針低剖面四塊扁平封裝（LQFP）（PGE后綴）

?6.25-ns單周期**指令執(zhí)行時間（160 MIPS）

?8.33-ns單周期**指令執(zhí)行時間（120 MIPS）

?3.3-V輸入/輸出電源電壓（160和120 MIPS）

?1.6-V**電源電壓（160 MIPS）

?1.5-V**電源電壓（120 MIPS）


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• 詞條

  詞條說明

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  描述 TPS54231設(shè)備是一個V、a非同步降壓轉(zhuǎn)換器，集成了一個低RDS（on）高側(cè)MOSFET。要提高輕載時的效率，請?zhí)^Eco模式? 功能自動激活。此外，1μA的關(guān)機(jī)電源電流允許該設(shè)備用于電池供電應(yīng)用。 帶內(nèi)部斜率補(bǔ)償?shù)碾娏髂Ｊ娇刂坪喕送獠垦a(bǔ)償計算，減少了元件數(shù)量，同時允許使用陶瓷輸出電容器。電阻分壓器對輸入欠壓鎖定的滯后進(jìn)行編程。過電壓瞬態(tài)保護(hù)電路限制啟動和瞬態(tài)條件下的電壓過沖。 在過載