供應(yīng) 原裝** S**5HVD82DR SOIC-8 RS-485 收發(fā)器芯片

           該設(shè)備具有健壯的驅(qū)動程序和接收器,可用于要求苛刻的工業(yè)應(yīng)用。總線引腳對ESD事件非常強(qiáng)大,對人體模型、氣隙排放和接觸放電規(guī)范具有高水平的保護(hù)作用。
    
         該設(shè)備結(jié)合了一個差速器驅(qū)動器和一個差速器接收器,它從一個單一的5V電源操作。驅(qū)動器差分輸出和接收器差分輸入在內(nèi)部連接,形成適合于半雙工(雙線總線)通信的總線端口。該設(shè)備具有廣泛的共模電壓范圍,使該設(shè)備適用于長電纜運(yùn)行的多點(diǎn)應(yīng)用。該裝置的特征為從-40°C到85°C。
    
    特征
    
    ?總線I/O保護(hù)
    
    -±16 kV HBM保護(hù)
    
    -±12 kV IEC61000-4-2接觸放電
    
    –+4kV IEC61000-4-4快速瞬變脈沖群
    
    ?工業(yè)溫度范圍–40°C至85°C
    
    ?用于抑制噪聲的大接收器滯后(60mV典型值)
    
    ?低功耗
    
    –<1μA備用電流
    
    -<1 mA靜態(tài)電流
    
    ?針對250 kbps優(yōu)化的信令速率
    
    應(yīng)用
    
    ?電表
    
    ?樓宇自動化
    
    ?工業(yè)網(wǎng)絡(luò)
    
    ?安全電子設(shè)備
    
    

    深圳市南北行電子發(fā)展有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類,變壓器類,連接器類,按鍵類,私人訂制BOM配單等

  • 詞條

    詞條說明

  • 供應(yīng) 全新原裝 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 內(nèi)存 閃存芯片

    EM6AA160 SDRAM是一種高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM,包含256Mbit。 它在內(nèi)部配置為一個4米x 16的DRAM,帶有一個同步接口(所有信號都記錄在時鐘信號CK的正邊緣)。 數(shù)據(jù)輸出發(fā)生在CK和CK的上升沿。對SDRAM的讀寫訪問是面向突發(fā)的;訪問從選定的位置開始,然后按編程順序繼續(xù)訪問編程的多個位置。 訪問首先注冊BankActivate命令,然后是讀或?qū)懨?。EM6AA16

  • BTA16-600B雙向可控硅晶閘管 全新原裝 二三極管

    簡介: 名稱:雙向可控硅 控制方式:雙向 較數(shù):三較 封裝材料:金屬封裝 封裝外形:平板形 關(guān)斷速度:高頻(快速) 散熱功能:帶散熱片 頻率特性:高頻 功率特性:中功率 BTA16-600B,采用TO-220AB 封裝方式。 電流, Igt:50mA 電流, It 有效值:16A 峰值電流, Itsm (50Hz):160A 電壓, Vgt:1.5V 工作溫度范圍:-40??C to +125°C

  • 全新原裝 DP8205 8205A 貼片TSSOP8 鋰電池保護(hù)IC

    HSO8205是低RDSON淬火的N-CH模型。本產(chǎn)品適用于鋰離子電池組的應(yīng)用。 HSO8205滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求,功能可靠性齊全。 ?綠色設(shè)備可用的 ?**低門充電 ?優(yōu)秀的Cdv/dt效果下降 ?**的高細(xì)胞密度壕溝技術(shù) 符號參數(shù)額定單位 VDS漏源較電壓20 V VGS柵較源較電壓±12 VID@TA=25℃連續(xù)漏電流1 6 AID@TA=70℃連續(xù)漏電流1 5.4 A IDM脈沖漏電

  • STM32F103RCT6

    STM32F103RCT6 規(guī)格信息: 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS:是 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-64 系列:STM32F103RC **:ARM Cortex M3 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 較大時鐘頻率:72 MHz 程序存儲器大小:256 kB 數(shù)據(jù) RAM 大小:48 kB ADC分辨率:12 b

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