全新原裝 存儲器S25FL127SABMFI101 SOP8

    1.1一般說明
    Cypress S25FL127S設(shè)備是一種閃存非易失性存儲器產(chǎn)品,使用:
    ? MirrorBit技術(shù)-在每個存儲陣列晶體管中存儲兩個數(shù)據(jù)位
    ? Eclipse體系結(jié)構(gòu)—顯著提高程序和擦除性能
    ? 65nm工藝光刻
    此設(shè)備通過串行外圍設(shè)備接口(SPI)連接到主機系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的SPI單位串行輸入和輸出(單I/O或SIO)以及可選的兩位(雙I/O或DIO)和四位(QuadI/O或QIO)串行命令。這個多寬接口稱為SPI多I/O或MIO。
    Eclipse架構(gòu)具有一個頁面編程緩沖區(qū),允許在一個操作中編程多達128個字(256個字節(jié))或256個字(512個字節(jié)),從而產(chǎn)生比上一代SPI程序或擦除算法較快的有效編程和擦除。
    直接從閃存執(zhí)行代碼通常被稱為就地執(zhí)行或XIP。通過在較高的時鐘速率下使用FL-S設(shè)備,使用QIO命令,指令讀取傳輸速率可以匹配或**過傳統(tǒng)的并行接口、異步或閃存,同時顯著減少信號計數(shù)。
    S25FL127S產(chǎn)品提供了高密度的產(chǎn)品,以及各種嵌入式應(yīng)用程序所需的靈活性和快速性能。它非常適合用于代碼陰影、XIP和數(shù)據(jù)存儲。
    特征
    ? CMOS 3.0伏磁芯
    ? 密度
    –128兆字節(jié)(16兆字節(jié))
    ? 具有多I/O的串行外圍接口(SPI)
    –SPI時鐘極性和相位模式0和3
    –擴展尋址:24位或32位地址選項
    –串行命令集和封裝外形與兼容
    S25FL-A,
    S25FL-K和S25FL-P SPI系列
    –多I/O命令集和封裝外形與兼容
    S25FL-P SPI系列
    ? 讀取命令
    –普通、快速、雙路、四路
    –自動啟動-通電或重置,并執(zhí)行正?;?
    在預(yù)選位置自動執(zhí)行四元讀取命令
    地址
    –用于配置的通用閃存接口(CFI)數(shù)據(jù)信息。
    ? 編程(0.8 Mbytes/s)
    –256字節(jié)或512字節(jié)頁面編程緩沖區(qū)選項
    –用于慢時鐘的四輸入頁編程(QPP)
    系統(tǒng)
    –自動ECC-內(nèi)部硬件錯誤糾正代碼單比特糾錯生成
    ? 擦除(0.5 Mbytes/s)
    –混合扇區(qū)大小選項-十六個4-kbyte的物理集地址空間**部或底部的扇區(qū),包含所有剩余的64 KB扇區(qū)
    –統(tǒng)一扇區(qū)選項-始終擦除256 KB的數(shù)據(jù)塊
    軟件與較高密度和未來的兼容性
    設(shè)備。
    ? 自行車耐力
    –每個扇區(qū)至少100000個程序擦除周期
    ? 數(shù)據(jù)保留
    –至少20年的數(shù)據(jù)保留期
    ? 安全特性
    –1024字節(jié)的一次性程序(OTP)陣列
    –塊保護:
    –狀態(tài)寄存器位,用于控制對故障的保護
    連續(xù)扇區(qū)范圍的編程或擦除。
    –硬件和軟件控制選項
    –**扇區(qū)保護(ASP)
    –單個扇區(qū)保護由引導(dǎo)代碼或
    密碼
    ? 柏樹? 使用Eclipse的65 nm鏡像位技術(shù)? 建筑學(xué)
    ? 電源電壓:2.7V至3.6V
    ? 溫度范圍:
    –工業(yè)(-40°C至+85°C)
    –工業(yè)溫度升高(-40°C至+105°C)
    –汽車AEC-Q100 3級(-40°C至+85°C)
    –汽車AEC-Q100 2級(-40°C至+105°C)
    ? 包裝(全部無鉛)
    –8芯SOIC(208密耳)
    –16芯SOIC(300密耳)
    –6 x 5毫米上的8觸點傳感器
    –BGA-24 6 x 8毫米
    –5 x 5球(FAB024)和4 x 6球(FAC024)占地面積
    選擇權(quán)
    –已知良好模具和已知測試模具

    深圳市云創(chuàng)達科技有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類等

  • 詞條

    詞條說明

  • 供應(yīng)全新原裝 TPS61099YFFR 封裝DSBGA-6 TPS61099 電源芯片IC

    說明 TPS61099x 器件是一款具有 1μA **低靜態(tài)電流的同步升壓轉(zhuǎn)換器。該器件專為由堿性電池、鎳氫充電電池、鋰錳電池或鋰離子充電電池供電的產(chǎn)品而設(shè)計,能夠在輕載條件下高效運行,這對延長電池使用壽命至關(guān)重要。 TPS61099x 升壓轉(zhuǎn)換器采用遲滯控制拓撲,能夠以較小靜態(tài)電流實現(xiàn)較高的效率。該器件在輕載條件下僅消耗 1μA 靜態(tài)電流,在 10μA 負載下可實現(xiàn)高達 75% 的效率(固定輸出電

  • 供應(yīng) UCC27324DR SOIC-8 高速低側(cè)電源 MOSFET驅(qū)動器 全新原裝

    說明 UCC2732x 和 UCC3732x 系列高速雙路 MOSFET 驅(qū) 動器提供 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流,以在米勒 平坦區(qū)域提供較需要的高效 MOSFET 驅(qū)動。*特的雙 較和 MOSFET 混合輸出級并聯(lián),可在低電源電壓下實 現(xiàn)高效的拉電流和灌電流。提供了 3 個標準邏輯選項 的組合 - 雙路反相、雙路同相、一路反相和一路同相。 輸入閾值基于 TTL 和 CMOS,和電源電壓

  • 供應(yīng)TPS61071TDDCRQ1 升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器 絲印DAY 全新現(xiàn)貨 SOT23-6

    描述 TPS6107x設(shè)備為單電池、雙電池、三電池堿性電池、鎳鎘電池或鎳氫電池或單電池鋰離子電池或鋰聚合物電池供電的產(chǎn)品提供電源解決方案。使用單電池堿性電池時,輸出電流可高達75mA,并將其放電至0.9 V。它還可用于在200 mA時從3.3 V導(dǎo)軌或鋰離子電池產(chǎn)生5 V電壓。boost變換器基于固定頻率、脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器,使用同步整流器以獲得較大效率。在低負載電流下,TPS61070

  • 供應(yīng) AD8512ARMZ-REEL 貼片MSOP-8 絲印B 8A 精密放大器芯片 全新原裝

    說明 AD8510/AD8512/AD8513是單、雙、四精度的JFET放大器,具有低偏置電壓、輸入偏置電流、輸入電壓噪聲和輸入電流噪聲。 低偏移量、低噪聲和較低的輸入偏置電流的組合使這些放大器特別適合于高阻抗傳感器的放大和使用分流器的精確電流測量。直流精度、低噪聲和快速沉降時間的結(jié)合,使醫(yī)療儀器、電子測量和自動化測試設(shè)備具有較高的精度。與許多競爭放大器不同,AD8510/AD8512/AD851

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