2、優(yōu)化繞組順序,讓開關(guān)電源初級耦合面積增大或者是減小。這種繞線方法已經(jīng)被采用:1/3次級-1/2一初級-1/3次級-1/2一初級-1/3次級。結(jié)果表明,這種繞組方法的漏感可以大大地減小。當然了,這種變壓器的繞制工藝稍微有點復雜,成本稍高,但是還是可以接受的。 3、我們都知道層間電容,它可以通過在每層之間添加黃膠帶來降低。當然了,這些措施是考慮到了安全法規(guī)和以及開關(guān)電源電磁兼容性。對于升壓電源來說,如果漏感以及層間電容處理不當,就會容易引起振蕩,讓開關(guān)電源的電磁兼容性不好,效率不高,有時候MOS晶體管還會莫名其妙地爆?炸。 我們知道開關(guān)電源變壓器的損耗是分為鐵損以及銅損。我們可以先談談鐵的損耗。 開關(guān)電源變壓器鐵心損耗包括了三個方面 一是磁滯損耗。當開關(guān)電源交流電流通過開關(guān)電源變壓器的時候,通過變壓器鐵心的磁力線的方向以及大小都會隨之改變,讓磁芯內(nèi)的分子相互摩擦,釋放熱能,從而損失了一部分電能,這就是磁滯損耗。 而另一種就是變壓器工作的時候的渦流損耗。當磁力線通過磁芯的時候,在垂直于磁力線的平面上產(chǎn)生了感應電流。因為這種電流形成了一個閉合回路,形成一個漩渦,所以被稱之為渦流。渦流的存在讓鐵心發(fā)熱并且消耗能量,這被稱為渦流損耗。 三則是剩余損耗。在開關(guān)電源磁化或者是反磁化的過程當中,磁化狀態(tài)并不會隨著磁化強度的變化而立刻發(fā)生變化。存在著滯后時間,滯后效應是剩余開關(guān)電源損耗的原因。
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詞條說明
關(guān)于開關(guān)電源KRP的相關(guān)設置
只要開關(guān)電源原邊電感電流是處于連續(xù)的狀態(tài),就可以調(diào)用CCM模式。和淺CCM模式相比,深CCM模式的電感是淺CCM模式的幾倍,而淺CCM模式、BCM模式以及DCM模式的性能以及特性可能會較為相似。顯而易見的是,需要一個較為合適的參數(shù)來描述所有開關(guān)電源電感電流的工作狀態(tài)。通過設置KRP值,可以讓變壓器的電感電流狀態(tài)和磁性材料與回路特性密切相關(guān)。我們也可以較加合理地評價產(chǎn)品設計,比如說: 當開關(guān)電源KR
關(guān)于開關(guān)電源中功率因數(shù)校正級工作模式
在兩級開關(guān)電源當中,我們應該關(guān)斷開關(guān)電源功率因數(shù)校正級,以此來滿足開關(guān)電源待機功耗法規(guī)的要求。關(guān)斷開關(guān)電源功率因數(shù)校正級的主要的原因是大多數(shù)功率因數(shù)校正控制器并沒有間歇工作的特性。如果功率因數(shù)校正控制器不支持間歇的工作模式,功率因數(shù)校正級將會連續(xù)工作,即使是在無負載的條件下也會吸取能量。所以,對于帶有現(xiàn)有功率因數(shù)校正控制器的兩級開關(guān)電源設計來說,關(guān)斷功率因數(shù)校正級是一并且可行的辦法。但是,在重新
線間距:在隨著開關(guān)電源印制線路板制造工藝的不斷完善以及提高,一般的加工廠制造出線間距等于甚至于小于0.1毫米已經(jīng)是不存在什么問題了,它們完**夠滿足大多數(shù)的應用場合。但是考慮到開關(guān)電源所采用的元件以及生產(chǎn)的工藝,一般的開關(guān)電源雙面板較小線間距會設為0.3毫米,而開關(guān)電源單面板較小的線間距則設為0.5毫米,焊盤與焊盤、焊盤與過孔及過孔與過孔之間,較小的間距要設為0.5毫米,這樣可以避免在焊接操作過程
開關(guān)電源它是開關(guān)穩(wěn)壓線性電源的簡稱,之前的開關(guān)電源產(chǎn)品都是采取線性電源,這是一種晶體管線性穩(wěn)壓電源,因為效率低下等等原因已經(jīng)逐漸被開關(guān)電源所取代。開關(guān)電源,顧名思義就是通過控制開關(guān)管的導通時間以及關(guān)斷時間來維持輸出電壓的穩(wěn)定的電源,它已經(jīng)逐漸向小型化、效率化、模塊化、高可靠性等方向發(fā)展。對于開關(guān)電源來說,輸入保護電路十分重要,開關(guān)輸入保護電路具有過流保護、過壓保護以及浪涌抑制等等功能,對于電網(wǎng)的電
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