什么是IGBT呢?
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的縮寫,即絕緣柵雙較型晶體管,是**上公認(rèn)的電力電子技術(shù)*三次革命具代表性的產(chǎn)品,是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域能源變換和傳輸?shù)?*元器件。簡單來說,IGBT可以理解為“非通即斷”的開關(guān),它可以將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電,主要用于變頻逆變和其他逆變電路,被稱為是電力電子裝置的“CPU”。
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詞條說明
正確選擇富士IGBT的關(guān)鍵在于了解和確定以下幾個(gè)因素:額定電壓(Vce)和額定電流(Ic):根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求,確定所需的額定電壓和額定電流范圍,以確保所選富士IGBT能夠滿足工作條件。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用的開關(guān)頻率和響應(yīng)要求,選擇富士IGBT的開關(guān)速度,一般有標(biāo)準(zhǔn)、高速和**快三種類型可選。包裝類型:富士IGBT有各種不同的封裝形式,如插件型、表面貼裝型和模塊型等,根據(jù)設(shè)備的安裝和布局要求,選擇適合的
英飛凌IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以下是英飛凌IGBT的一些主要用途:變頻驅(qū)動(dòng)器:英飛凌IGBT被廣泛用于交流電驅(qū)動(dòng)器中,例如用于工業(yè)應(yīng)用中的電機(jī)控制,如風(fēng)力發(fā)電機(jī)、電梯、水泵、壓縮機(jī)等。其高電壓和高電流能力使其適用于各種功率需求。電力傳輸和分配:英飛凌IGBT在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用廣泛,用于直流輸電、柔性交流輸電系統(tǒng)、高壓直流輸電站等。它們能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電力傳輸和變換,提
【回收三菱IGBT】IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路有什么特點(diǎn)?
(1)提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?,使IGBT可靠的開通和關(guān)斷。(2)提供足夠大的瞬時(shí)電流或瞬態(tài)功率,使IGBT能迅速建立柵控電場(chǎng)而導(dǎo)通。(3)具有盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間,以提高工作效率。(4)具有足夠高的輸入輸出電氣隔離性能,使信號(hào)電路與柵較驅(qū)動(dòng)電路絕緣。(5)具有靈敏的過流保護(hù)能力。上述就是為你介紹的有關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路有什么特點(diǎn)的內(nèi)容,對(duì)此你還有什么不了解的,歡迎前來咨詢我們網(wǎng)站,我們
一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
IGBT的工作原理IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)
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