固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)存在什么位置，你都知道么？

時(shí)間：2020-04-28作者：深圳道通存儲技術(shù)有限公司瀏覽：375

固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)存在什么位置

SSD主控主要有三大部分組成：與Host對接的界面(Host interface), 閃存轉(zhuǎn)換層FTL以及閃存對接界面(Flash interface)。







由于閃存轉(zhuǎn)換層FTL是NAND閃存總管，負(fù)責(zé)NAND閃存的衣食住行，所以請出大總管之前，先來欣賞一下NAND閃存的內(nèi)在氣質(zhì)。現(xiàn)在主流NAND閃存都是采用浮柵技術(shù)(Floating Gate, 簡稱FG)。

浮柵FG相似于一個(gè)“陷阱”，電子在控制柵(Controll Gate，簡稱CG)的召喚下從溝道歡快地奔向控制柵CG，不幸的是，半道殺出個(gè)程咬金-浮柵FG，電子就這樣被困在浮柵了。

NAND閃存利用這個(gè)有點(diǎn)“殘忍”的手段實(shí)現(xiàn)了**-主控交給的任務(wù)-【數(shù)據(jù)寫入】。

NAND閃存性本善，電子被困浮柵FG之后, 輸送給基板(Subsrtate)20V左右的能量，讓基板奮不顧身的把電子都浮柵中解救出來。

NAND閃存通過把電子從浮柵FG解救出來的過程也實(shí)現(xiàn)了**-主控交給的另一個(gè)任務(wù)-【數(shù)據(jù)擦除】。

其實(shí)上面看到的浮柵FG結(jié)構(gòu)只是NAND閃存中的較小單元(Cell)，成千上萬個(gè)這樣的單元(Cell)組成的陣列(Array)是才是NAND閃存的真正容貌。

了解NAND閃存陣列之前，先NAND閃存陣列的兩個(gè)坐標(biāo)軸：字線(Word Line,簡稱WL)，位線(Bit Line, 簡稱BL)。

WL方向，連接著控制柵CG，

BL方向，連接著MOS管的漏(Drain)，

明白WL和BL的含義之后，讓我們檢閱一下NAND閃存中Cell方陣-Array

1. Cell沿著BL方向手拉手，排排站，構(gòu)成了一個(gè)串(String)，

上圖中左邊有一個(gè)String，由64個(gè)Cell組成，

2. 共享一組WLs的所有String稱為是一個(gè)塊(Block)。

上圖中右邊有兩個(gè)Block，Block0由WL Group 0<63:0>組成，Block1由WL Group 2<63:0>組成，

3. 共享一根WL的Cell稱為是一個(gè)頁(Page)。

上圖中右邊有兩個(gè)Page, Page0是由WL0與偶數(shù)BL交叉的Cell構(gòu)成，Page1是由WL0與奇數(shù)BL交叉的Cell構(gòu)成，

面對龐大的Cell陣營，管理起來實(shí)在傷腦筋，于是NAND閃存引入了邏輯頁(Logical page)的管理概念。

有了邏輯頁的概念，就需要把單純的cell根據(jù)儲存級別劃分為SLC/MLC/TLC,

SLC Cell儲存1個(gè)bit，SLC很單純，很靠譜，很少犯錯(cuò)，所以SLC Page又被稱為Strong Page;

MLC Cell儲存2個(gè)bit，MLC包含有Lower page和Upper page;

TLC Cell儲存3個(gè)bit, TLC包含有Lower page, Middle page和Upper page;


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