STANSON原廠STP6621規(guī)格 P60V 10A 23mΩ SOP-8應(yīng)用于掃地機(jī)

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：155

STP6621規(guī)格和產(chǎn)品介紹：

stp6621是P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的
采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度
過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件
特別適合于低電壓應(yīng)用，noteook電源管理和**
電池供電的電路中的高側(cè)開關(guān)

特征
- 60V / -10.0a，RDS（上）= 23m??（典型值）
@ VGS = - 10V
- 60V / -8.0a RDS（ON）＝28m??
@ VGS = 4.5v
**高密度電池設(shè)計(jì)
較低的RDS（on）
特殊的阻力和較大
直流電流的能力
SOP-8封裝設(shè)計(jì)





司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• 臺產(chǎn)MOS管 STN4438 參數(shù)**0V 8.5A用于風(fēng)扇 原廠交貨快

  STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3

• STN4828 **0V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828

  STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征60V

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v

• STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足，價(jià)格優(yōu)美，質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC4301d是采用高電池密度的n&p溝道增強(qiáng)模式電場效應(yīng)晶體管dmos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其