STANSON 原廠STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK
描述
STN4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的
采用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度
過程是特別定制,以盡量減少對國家的阻力。這些器件
特別適合于低電壓應用,如電源管理和其他
高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。
特征
60V / 8.2A,RDS(ON)= 25毫歐(典型值)
@ VGS = 10V
60V / 7.6A,RDS(ON)=30毫歐
@ VGS = 4.5V
**高密度電池設計
較低的RDS(on)
特殊的阻力和較大
直流電流的能力
SOP-8封裝設計
詞條
詞條說明
STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足,價格優(yōu)美,質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC4301d是采用高電池密度的n&p溝道增強模式電場效應晶體管dmos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理,其
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理,其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
STANSON技術(shù)形成于1981年,業(yè)務集中于出口當時的半導體設備和零件。此后,她逐漸轉(zhuǎn)型為材料和零部件銷售。 1996年,由于市場需求,司坦森科技在閩臺成立子公司,設計/開發(fā)半導體器件,如電晶體、莫斯菲特、二極管及IC設計。 為了進一步加強對中國客戶的支持,司坦森科技在閩臺和深圳設立了銷售辦事處。 司坦森提供各種規(guī)格的寬產(chǎn)品線的總電源解決方案。這包括監(jiān)管者, 如液晶顯示器/電視、dsc、磁盤陣
STANSON 原廠STC4614中文資料PDF 數(shù)據(jù)規(guī)格書
STC4614可替代其它:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
手 機: 13168017351
微 信: 13168017351
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
郵 編:
網(wǎng) 址: stansontech.cn.b2b168.com
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
手 機: 13168017351
電 話: 13168017351
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
郵 編:
網(wǎng) 址: stansontech.cn.b2b168.com