PN8386產(chǎn)品描述:
PN8386集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標準,可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負載調(diào)整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調(diào)節(jié)。該芯片提供了較為全面的智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
PN8386產(chǎn)品特點:
內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFET
內(nèi)置高壓啟動電路小于50MW空載損耗(264V AC)
采用準諧振與多模式技術(shù)提高效率滿足6級能效標準
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒流恒壓輸出線補償外部可調(diào)
*額外補償電容
無音頻噪聲
智能保護功能
過溫保護(OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
CS開/短路保護 (CS O/SP)
開環(huán)保護 (OLP)
PN8386廣泛應(yīng)用于:
開關(guān)電源適配器
電池充電器
機頂盒電源
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詞條說明
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公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
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