CTLD-250熱釋光劑量?jī)x系統(tǒng)相對(duì)靈敏度的實(shí)驗(yàn) (北京瑞輻特輻射測(cè)量?jī)x器有限公司) 1、相對(duì)靈敏度 相對(duì)靈敏度是評(píng)價(jià)熱釋光劑量?jī)x系統(tǒng)和熱釋光探測(cè)器的一個(gè)重要指標(biāo)。在實(shí)際使用中,通常是在熱釋光讀出器某一工作狀態(tài)下對(duì)探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量,給出特定條件下的刻度系數(shù)表示其靈敏度。這里所說的相對(duì)靈敏度是相對(duì)TLD-100(LiF:Mg,Ti)探測(cè)器而言。 表1、2給出了幾種熱釋光探測(cè)器單位面積、重量的相對(duì)靈敏度結(jié)果。 表1、探測(cè)器相對(duì)靈敏度實(shí)驗(yàn)結(jié)果(單位面積) 探測(cè)器 型 號(hào) 單位面積TL值 相對(duì)靈敏度 LiF:Mg,Ti TLD-100 330 1.00 LiF:Mg,Ti CTLD-100 408 1.24 LiF:Mg,Ti-M CTLD-100M 1617 4.90 LiF:Mg,Cu,P CTLD-1000 13403 40.70 CaSO4:Dy (Teflon) CTLD-10T 1101 3.34 表2 探測(cè)器相對(duì)靈敏度實(shí)驗(yàn)結(jié)果(單位重量) 探測(cè)器 型 號(hào) 單位重量TL值 相對(duì)靈敏度 LiF:Mg,Ti TLD-100 113 1.00 LiF:Mg,Ti CTLD-100 172 1.52 LiF:Mg,Ti-M CTLD-100M 635 5.62 LiF:Mg,Cu,P CTLD-1000 6494 58.00 CaSO4:Dy(Teflon) CTLD-10T 736 6.53 表中CTLD LiF:Mg,Ti、LiF:Mg,Ti-M、LiF:Mg,Cu,P和CaSO4:Dy(Teflon)熱釋光探測(cè)器的單位面積的相對(duì)靈敏度分別是TLD-100(美國(guó)Harshaw化學(xué)公司LiF:Mg,Ti熱釋光探測(cè)器產(chǎn)品)的1.24、4.90、40.70和3.34倍。單位重量的相對(duì)靈敏度分別是TLD-100的1.52、5.62、58和6.53倍。單位面積和單位重量結(jié)果的差別是由于探測(cè)器透明度不同造成的,即熱釋光探測(cè)器的相對(duì)靈敏度除和探測(cè)器的類型、大小有關(guān)外,還和探測(cè)器的透明度等因素有關(guān)。除此之外,探測(cè)器的相對(duì)靈敏度還和讀出器的光電倍增管、光學(xué)系統(tǒng)的光譜響應(yīng)有關(guān)。采用不同光電倍增管和光學(xué)系統(tǒng)的讀出器其測(cè)量結(jié)果有所不同,這一因素是造成探測(cè)器相對(duì)靈敏度差別的主要原因。一般說來,熱釋光探測(cè)器可測(cè)劑量下限取決于其靈敏度的高低。靈敏度高的熱釋光探測(cè)器,其可測(cè)劑量下限值就小。適當(dāng)加大探測(cè)器(面積)可以提高探測(cè)器的相對(duì)靈敏度。 2、 探測(cè)閾 探測(cè)閾是熱釋光探測(cè)器劑量特性的一個(gè)重要指標(biāo),GB-10264根據(jù)系統(tǒng)種類規(guī)定了探測(cè)器的探測(cè)閾值。 實(shí)驗(yàn)方法是:取10個(gè)探測(cè)器,準(zhǔn)備后立即讀出,給出每個(gè)探測(cè)器的讀出值(ri),并計(jì)算出平均讀出值()及其標(biāo)準(zhǔn)偏差(S0)的劑量評(píng)定值(S)。 采用下式計(jì)算: tn×S≤H 式中,tn: 具有 (n-1) 個(gè)自由度的學(xué)生分布因數(shù)(n為檢驗(yàn)中使用的探測(cè)器數(shù)目);H: 探測(cè)器較大允許限(表8);S: 準(zhǔn)偏差的劑量評(píng)定值(μGy)。標(biāo)準(zhǔn)偏差的評(píng)定值由下式給出: S = Sx·Fe 式中,Sx 為標(biāo)準(zhǔn)偏差;Fe 為劑量評(píng)定因數(shù),F(xiàn)e=C/(ri -r0),C 為劑量評(píng)定片輻照的劑量約定真值,ri為劑量評(píng)定片的平均讀出值,r0為劑量評(píng)定本底片的平均讀出值。 表3 探測(cè)閾限值 系統(tǒng)種類 H 值 P(7mg.cm-2) 0.5mGy P(1000mg.cm-2) 0.1mGy E(ALL)(7d) 10μGy E(ALL)(30d) 30μGy 表4給出了幾種熱釋光探測(cè)器的探測(cè)閾結(jié)果。 表4 CTLD系列探測(cè)器探測(cè)閾結(jié)果 名 稱 型 號(hào) 規(guī)格(mm) 探測(cè)閾(mGy) LiF:Mg,Ti CTLD-100 3.0×3.0×1.0 4.45×10-2 LiF:Mg,Ti-M CTLD-100M 3.0×3.0×1.0 1.64×10-2 LiF:Mg,Cu,P CTLD-1000 Φ4.5×0.8 3.64×10-5 CaSO4:Dy(Teflon) CTLD-10F Φ5.0×0.8 9.10×10-4 表中結(jié)果表明:CTLD LiF:Mg,Ti、LiF:Mg,Ti-M、LiF:Mg,Cu,P 和 CaSO4:Dy(Teflon)熱釋光探測(cè)器的探測(cè)閾性能滿足GB10264的要求。 LiF:Mg,Ti探測(cè)器經(jīng)劑量敏化紫外退火后,其探測(cè)閾值約降低1/3。 熱釋光探測(cè)器的探測(cè)閾值和探測(cè)器的靈敏度有關(guān)。提高探測(cè)器的靈敏度,可降低探測(cè)器的探測(cè)閾值。適當(dāng)加大探測(cè)器的厚度和面積,可以提高探測(cè)器的靈敏度,從而降低探測(cè)器的探測(cè)閾值。 3、 劑量響應(yīng) 劑量響應(yīng)是熱釋光探測(cè)器的一個(gè)重要參數(shù),GB-10264要求作為必要參數(shù)給出,并根據(jù)系統(tǒng)的種類規(guī)定了探測(cè)器的輻照劑量約定真值。對(duì)個(gè)人劑量計(jì)P(ALL)輻照的劑量約定真值為10-4、10-3、10-2、10-1、1Gy;對(duì)環(huán)境劑量計(jì)E(ALL)輻照的劑量約定真值為3×10-2、10-1、1、10、102mGy。在滿足標(biāo)準(zhǔn)要求探測(cè)器輻照的劑量約定真值的條件下,本實(shí)驗(yàn)將探測(cè)器輻照的劑量約定真值的崐上限增加到10Gy,其輻照的劑量約定真值為:10-5、10-4、10-3、5×10-3、10-2、5×10-2、10-1、1、5、10Gy。 采用一種活度的放射源輻照尚不能滿足本實(shí)驗(yàn)所要求輻照的劑量約定真值,故崐采用不同活度的60Co輻照裝置照射。為了保證劑量的準(zhǔn)確性,本實(shí)驗(yàn)采用NPL-2560次級(jí)標(biāo)準(zhǔn)劑量?jī)x測(cè)量輻照裝置照射位置處的照射量率。 圖7給出了LiF:Mg,Cu,P探測(cè)器平均讀出值(ri)與輻照劑量約定真值(Ci)的關(guān)系曲線。 CTLD-1000 LiF:Mg,Cu,P熱釋光探測(cè)器劑量響應(yīng)關(guān)系曲線 表5給出了幾種CTLD系列熱釋光探測(cè)器線性度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。 表5 探測(cè)器線性度實(shí)驗(yàn)結(jié)果 名 稱 型 號(hào) 規(guī) 格 相關(guān)系數(shù) LiF:Mg,Ti CTLD-100 4×4×0.8 0.999 CTLD-100 Φ4.5×0.8 0.985 LiF:Mg,Ti-M CTLD-100M 4×4×0.8 0.999 CTLD-100M Φ4.5×0.8 0.999 6LiF:Mg,Ti CTLD-600 3×3×0.8 0.999 7LiF:Mg,Ti CTLD-700 5×5×0.8 0.999 CaSO4:Dy(Teflon) CTLD-10T Φ5×0.7 0.996 LiF:Mg,Cu,P(AR) CTLD-1000 4×4×0.8 0.999 LiF:Mg,Cu,P(GR) CTLD-1000 Φ4.5×0.8 0.999 6LiF:Mg,Cu,P CTLD-6000 Φ4.5×0.8 0.999 7LiF:Mg,Cu,p CTLD-7000 Φ4.5×0.8 0.999 以上結(jié)果表明,CTLD LiF:Mg,Ti、LiF:Mg,Ti-M、LiF:Mg,Cu,P、CaSO4:Dy聚四氟乙烯熱釋光探測(cè)器在10-5~10-1Gy劑量約定真值范圍內(nèi)呈線性關(guān)系。 一般來講,探測(cè)器在一定的范圍內(nèi)呈線性關(guān)系,在**一定劑量時(shí),探測(cè)器會(huì)崐出現(xiàn)非線性關(guān)系。LiF:Mg,Ti 熱釋光探測(cè)器的線性劑量范圍為 5×10-5~8Gy;LiF:Mg,Ti-M探測(cè)器的線性劑量范圍為2×10-5~5×102Gy;LiF:Mg,Cu,P的線性劑量范圍為1×10-7~12Gy;CaSO4:Dy聚四氟乙烯線性劑量范圍為10-5~30Gy。 人們對(duì)劑量**線性這一現(xiàn)象進(jìn)行了許多研究,探討了有關(guān)機(jī)理,采取一些辦法來改善探測(cè)器的線性劑量范圍,如對(duì)LiF:Mg,Ti采用劑量敏化和紫外退火工藝處理,探測(cè)器的劑量響應(yīng)范圍從10-5~8Gy增加到2×10-5~5×102Gy,同時(shí)改善了探測(cè)器的能量響應(yīng),降低了本底值,提高了靈敏度。
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CTLD-1000熱釋光探測(cè)器發(fā)光曲線的探討
CTLD-1000熱釋光探測(cè)器發(fā)光曲線的探討 1制備工藝 圖1給出了CTLD系列熱釋光探測(cè)器的制備工藝流程圖。 本工藝解決以下難點(diǎn): LiF:Mg,Cu,P熱釋光材料經(jīng)過熱壓、切片后,其熱釋光特性消失,采取退火工藝,恢復(fù)了探測(cè)器的熱釋光特性;對(duì)熱釋光探測(cè)器進(jìn)行預(yù)處理,提高了LiF:Mg,Cu,P熱釋光材料的穩(wěn)定性;對(duì) LiF:Mg,Ti探測(cè)器制備工藝的進(jìn)行了改進(jìn);解決了CaSO4探測(cè)器不易成型及
CTLD-1000熱釋光劑量片殘余劑量的評(píng)估 (北京瑞輻特輻射測(cè)量?jī)x器有限公司) 1、 殘余劑量 殘余劑量是評(píng)價(jià)熱釋光劑量片性能的一個(gè)重要指標(biāo)。GB/T10264-2014個(gè)人和環(huán)境監(jiān)測(cè)用熱釋光劑量測(cè)量系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)未專門對(duì)探測(cè)器殘余劑量性能作出了規(guī)定,本實(shí)驗(yàn)參照標(biāo)準(zhǔn)對(duì)劑量計(jì)殘余劑量的性能要求進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。標(biāo)準(zhǔn)要求給出對(duì)探測(cè)閾和響應(yīng)的影響性能。 a.對(duì)探測(cè)閾的影響 準(zhǔn)備、輻照并讀出10個(gè)探測(cè)器,輻照的劑
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CTLD-350型熱釋光劑量?jī)x測(cè)量的質(zhì)量控制
CTLD-350型熱釋光劑量?jī)x測(cè)量的質(zhì)量控制 [摘要] 討論了CTLD-350熱釋光劑量讀出器測(cè)量的質(zhì)量控制問題。CTLD-350熱釋光劑量?jī)x中參考光源的光譜應(yīng)與光電倍增管道匹配,光學(xué)系統(tǒng)透射系數(shù)要高而穩(wěn)定,高壓須穩(wěn)定性高,加熱器與探測(cè)器要保持良好的熱接觸;探測(cè)器應(yīng)經(jīng)過篩選,嚴(yán)格控制退火條件,測(cè)量參數(shù)要優(yōu)化確定;劑量刻度源的輻射種類和能譜應(yīng)與所測(cè)量的盡量一致,并須按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求刻度,文中介
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