太陽能擴散爐

時間：2014-10-22

作者：青島福潤德微電子設備有限公司

詞條
詞條說明
等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)
? 等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD（等離子增強化學氣相淀積）設備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領域科研和生產(chǎn)不可缺少的設備。產(chǎn)品特點： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機（易漏大氣而
LPCVD設備
LPCVD設備維修及應用低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問題，提
led專用爐
■ LED**爐特點?? ◆ 關鍵件全部采用進口件，具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報警、**溫報警、極限**溫報警等多種安全保護功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路，可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達可
鏈帶式焊接爐
鏈帶式焊接爐技術方案鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結(jié)的連續(xù)工作的隧道式結(jié)構(gòu)熱處理爐。一、主要技術指標 1、設計溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內(nèi)控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設備總長度：約10600mm；進出口臺面各為：800mm。 6、加熱區(qū)長度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區(qū)長