有效研究堆焊**襯板晶體材料組織

時間：2020-01-05作者：張家港市新紅宇**材料有限公司瀏覽：414

**堆焊設(shè)備PMP(粉末熔化工藝粉)試樣中2種形貌晶粒一般同時存在。添加中間層(Ag)之后,堆焊**襯板菊花狀晶粒消失或變得很不明顯。X射線衍射分析表明,試樣堆焊**襯板主要由Y123相組成并具有一定的c軸擇優(yōu)取向。

目前我國已有十余家單位購置了背散射電子衍射(EBSD)晶體取向與結(jié)構(gòu)分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)安裝在掃描電鏡上后,可實現(xiàn)晶體材料堆焊**襯板微區(qū)范圍內(nèi)取向與結(jié)構(gòu)的**分析

,揭示材料內(nèi)部豐富的組織、結(jié)構(gòu)與取向信息。作者簡單介紹了該堆焊**襯板技術(shù)的硬件配置、取向數(shù)據(jù)的采集過程，利用Hough變換自動識別衍射菊池帶的原理、取向數(shù)據(jù)的處理,特別強調(diào)了其主要應(yīng)用,即取向成像(OrientationMapping) ,并舉例說明了晶體材料堆焊**襯板微區(qū)取向分布的特征,希望對該技術(shù)在我國的推廣起到促進作用。

在金屬Ni基帶上,用旋轉(zhuǎn)勻膠(spin)和刷涂(printing)工藝制備了具有c軸擇優(yōu)取向的YBCO厚膜。厚膜表面晶粒呈菊花和多邊形狀,菊花尺寸在0.2mm～0.5mm左右,較大尺寸達到1mm以上,多邊形狀晶粒常處在菊花的中心位置。MPMP(改進的粉末熔化工藝粉)試樣堆焊**襯板中主要出現(xiàn)菊花狀晶粒,多邊形狀晶?；静怀霈F(xiàn)。PMP(粉末熔化工藝粉)試樣中2種形貌晶粒一般同時存在。添加中間層(Ag)之后,堆焊**襯板菊花狀晶粒消失或變得很不明顯。X射線衍射分析表明,試樣堆焊**襯板主要由Y123相組成并具有一定的c軸擇優(yōu)取向。

以雙離子束濺射法在(111)硅片和堆焊**襯板上分別制得了單一γ′Fe4 N薄膜,研究了基片及基片溫度對堆焊**襯板薄膜的結(jié)構(gòu)和磁性能的影響。結(jié)果表明,以(111)硅片為基片,可制得無晶粒擇優(yōu)取向的單一γ′Fe4 N相;而以玻璃為基片,在堆焊**襯板基片溫度為160℃時,則可制得具有(10 0)面晶粒取向的單一γ′Fe4 N相薄膜;與無晶粒擇優(yōu)取向的γ′Fe4 N相比較,具有(10 0 )面晶粒取向的γ′Fe4 N相的矯頑力較低,易達到磁飽和,但二者的飽和磁化強度基本一致。

對比研究了800℃和850℃?；療彳埌鍙?fù)合**襯板CSL晶界分布圖與取向差分布圖,在本文研究條件下,Goss織構(gòu)易在Σ=3,9的CSL晶界及晶粒取向差為30°～55°處形成。為研究?；瘻囟葘彳垷o取向復(fù)合**襯板組織與織構(gòu)的影響,采用光學顯微鏡、背電子散射衍射技術(shù)研究了不同?；瘻囟葘ζ溆绊?。結(jié)果表明,實驗復(fù)合**襯板在700～850℃溫度下?；瘯r,隨常化溫度的升高,晶粒尺寸增大,有利組分α織構(gòu)增強,不利組分γ織構(gòu)降低。

采用電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)對經(jīng)5%冷軋形變的316 L奧氏體不銹鋼復(fù)合**襯板在隨后高溫退火過程中Σ3n晶粒團簇及其內(nèi)部晶粒取向的演變進行了原位追蹤。結(jié)果發(fā)現(xiàn)Brass({110}<112>),Copper({112}<111>),Br1{110}<111>和Goss{011}<100>取向(包括它們的幾何變體)的晶粒在形變應(yīng)力梯度作用下**長大,這些晶粒取向大都符合Σ3n界面關(guān)系并趨于成長為大尺寸的Σ3n晶粒團簇。

對文獻中影響復(fù)合**襯板疲勞裂紋擴展門檻值的多種因素進行綜述,對顯微組織、晶粒取向尺寸、載荷比R、加載頻率和溫度的影響做了較為詳盡的歸納總結(jié)。研究表明,顯微組織、晶粒尺寸、載荷比R、加載頻率和試驗溫度等對疲勞裂紋擴展復(fù)合**襯板門檻值的影響較**,其影響規(guī)律和機理則因材料的不同而異。


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  詞條說明

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